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講演抄録/キーワード
講演名 2016-03-11 11:40
サイクリック系3段ADCを用いた1.1μm3,300万画素240枚/秒3次元積層構造CMOSイメージセンサ
新井俊希安江俊夫北村和也島本 洋NHK)・小杉智彦ジュン スンウク青山 聡ブルックマンテクノロジ)・Ming-Chieh Hsu山下雄一郎TSMC)・角 博文東大)・川人祥二静岡大
抄録 (和) サイクリック系3段ADCを用いた画素サイズ1.1μmの3,300万画素240枚/秒3次元積層構造CMOSイメージセンサを開発した.裏面照射型で3次元積層構造を,ハイブリッドスタッキング技術を用いることで,画素部とアレイ状に配置したAD変換器を画素エリア内部で接続した.3段パイプラインのサイクリック‐サイクリック‐逐次比較AD変換器により,変換時間周期を0.92μsに高速化した.3段AD変換器の構成とハイブリッドスタッキング技術により,3,300万画素において240枚/秒の高フレームレートを初めて実現した.画素速度7.96ギガ画素/秒の高速読み出しを実現しつつ,ランダムノイズ3.6電子とセンサ消費電力3.0ワットを達成した. 
(英) A 1.1μm 33Mpixel 240fps 3D-stacked CMOS image sensor with 3-stage cyclic-based ADC has been developed. The hybrid-stacking technology connects the pixels and an arrayed ADC in the pixel area. The pipelined operation of the cyclic-cyclic-SAR ADC effectively reduces the conversion time period to 0.92 μs. The ADC architecture and the hybrid-stacking technology achieve a high frame rate of 240 fps in 33 Mpixels. A random noise of 3.6 e- and sensor power consumption of 3.0 W are attained at an extremely high pixel rate of 7.96 Gpixel/s.
キーワード (和) 8K SHV / 3,300万画素 / 240枚/秒 / 3段ADC / 3次元積層構造 / ハイブリッドスタッキング技術 / /  
(英) 8K SHV / 33Mpixel / 240fps / 3-stage ADC / 3D-stacked / hybrid-stacking technology / /  
文献情報 映情学技報, vol. 40, no. 12, IST2016-12, pp. 21-24, 2016年3月.
資料番号 IST2016-12 
発行日 2016-03-04 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970

研究会情報
研究会 IST  
開催期間 2016-03-11 - 2016-03-11 
開催地(和) NHK技研講堂 
開催地(英) NHK Research Lab (Setagaya) 
テーマ(和) 固体撮像技術および一般 
テーマ(英) Solid state image sensors, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2016-03-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) サイクリック系3段ADCを用いた1.1μm3,300万画素240枚/秒3次元積層構造CMOSイメージセンサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 1.1μm 33Mpixel 240fps 3D-Stacked CMOS Image Sensor with 3-Stage Cyclic-Based Analog-to-Digital Converters 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 8K SHV / 8K SHV  
キーワード(2)(和/英) 3,300万画素 / 33Mpixel  
キーワード(3)(和/英) 240枚/秒 / 240fps  
キーワード(4)(和/英) 3段ADC / 3-stage ADC  
キーワード(5)(和/英) 3次元積層構造 / 3D-stacked  
キーワード(6)(和/英) ハイブリッドスタッキング技術 / hybrid-stacking technology  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 俊希 / Toshiki Arai / アライ トシキ
第1著者 所属(和/英) NHK技研 (略称: NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称: NHK STRL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 安江 俊夫 / Toshio Yasue / ヤスエ トシオ
第2著者 所属(和/英) NHK技研 (略称: NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称: NHK STRL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 北村 和也 / Kazuya Kitamura / キタムラ カズヤ
第3著者 所属(和/英) NHK技研 (略称: NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称: NHK STRL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 島本 洋 / Hiroshi Shimamoto / シマモト ヒロシ
第4著者 所属(和/英) NHK技研 (略称: NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称: NHK STRL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小杉 智彦 / Tomohiko Kosugi / コスギ トモヒコ
第5著者 所属(和/英) (株)ブルックマンテクノロジ (略称: ブルックマンテクノロジ)
Brookman Technology Inc. (略称: Brookman Technology)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) ジュン スンウク / Sungwook Jun / ジュン スンウク
第6著者 所属(和/英) (株)ブルックマンテクノロジ (略称: ブルックマンテクノロジ)
Brookman Technology Inc. (略称: Brookman Technology)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 青山 聡 / Satoshi Aoyama / アオヤマ サトシ
第7著者 所属(和/英) (株)ブルックマンテクノロジ (略称: ブルックマンテクノロジ)
Brookman Technology Inc. (略称: Brookman Technology)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) Ming-Chieh Hsu / Ming-Chieh Hsu / Ming-Chieh Hsu
第8著者 所属(和/英) 台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー (略称: TSMC)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. (略称: TSMC)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 雄一郎 / Yuichiro Yamashita / ヤマシタ ユウイチロウ
第9著者 所属(和/英) 台湾セミコンダクター・マニュファクチャリング・カンパニー (略称: TSMC)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. (略称: TSMC)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 角 博文 / Hirofumi Sumi / スミ ヒロフミ
第10著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The University of Tokyo)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 川人 祥二 / Shoji Kawahito / カワヒト ショウジ
第11著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka University)
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講演者
発表日時 2016-03-11 11:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2016-12 
巻番号(vol) ITE-40 
号番号(no) no.12 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IST-2016-03-04 


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