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講演抄録/キーワード
講演名
2016-08-03 10:40
[招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上
○
上牟田雄一
・
藤井章輔
・
井野恒洋
・
中崎 靖
・
高石理一郎
・
齋藤真澄
(
東芝
)
抄録
(和)
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キーワード
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文献情報
映情学技報
資料番号
発行日
ISSN
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研究会情報
研究会
IEICE-ICD IEICE-SDM IST
開催期間
2016-08-01 - 2016-08-03
開催地(和)
中央電気倶楽部
開催地(英)
Central Electric Club
テーマ(和)
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ(英)
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications
講演論文情報の詳細
申込み研究会
IEICE-SDM
会議コード
2016-08-ICD-SDM-IST
本文の言語
日本語
タイトル(和)
薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上
サブタイトル(和)
タイトル(英)
Demonstration and performance improvement of ferroelectric HfO2-based tunnel junction
サブタイトル(英)
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キーワード(4)(和/英)
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キーワード(7)(和/英)
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キーワード(8)(和/英)
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ)
上牟田 雄一
/
Kamimuta Yuuichi
/
カミムタ ユウイチ
第1著者 所属(和/英)
株式会社東芝
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation
(略称:
Toshiba
)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ)
藤井 章輔
/
Shosuke Fujii
/
フジイ ショウスケ
第2著者 所属(和/英)
株式会社東芝
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation
(略称:
Toshiba
)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ)
井野 恒洋
/
Tsunehiro Ino
/
イノ ツネヒロ
第3著者 所属(和/英)
株式会社東芝
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation
(略称:
Toshiba
)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ)
中崎 靖
/
Yasushi Nakasaki
/
ナカサキ ヤスシ
第4著者 所属(和/英)
株式会社東芝
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation
(略称:
Toshiba
)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ)
高石 理一郎
/
Riichiro Takaishi
/
タカイシ リイチロウ
第5著者 所属(和/英)
株式会社東芝
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation
(略称:
Toshiba
)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ)
齋藤 真澄
/
Masumi Saitoh
/
サイトウ マスミ
第6著者 所属(和/英)
株式会社東芝
(略称:
東芝
)
Toshiba Corporation
(略称:
Toshiba
)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第7著者 所属(和/英)
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第8著者 所属(和/英)
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第9著者 所属(和/英)
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第10著者 所属(和/英)
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第11著者 所属(和/英)
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第12著者 所属(和/英)
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第13著者 所属(和/英)
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第14著者 所属(和/英)
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第15著者 所属(和/英)
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第16著者 所属(和/英)
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第17著者 所属(和/英)
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第18著者 所属(和/英)
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第19著者 所属(和/英)
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ)
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第20著者 所属(和/英)
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講演者
第1著者
発表日時
2016-08-03 10:40:00
発表時間
45分
申込先研究会
IEICE-SDM
資料番号
巻番号(vol)
vol.40
号番号(no)
ページ範囲
ページ数
発行日
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