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講演抄録/キーワード
講演名 2016-08-03 10:40
[招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上
上牟田雄一藤井章輔井野恒洋中崎 靖高石理一郎齋藤真澄東芝
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文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-ICD IEICE-SDM IST  
開催期間 2016-08-01 - 2016-08-03 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2016-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Demonstration and performance improvement of ferroelectric HfO2-based tunnel junction 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上牟田 雄一 / Kamimuta Yuuichi / カミムタ ユウイチ
第1著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤井 章輔 / Shosuke Fujii / フジイ ショウスケ
第2著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 井野 恒洋 / Tsunehiro Ino / イノ ツネヒロ
第3著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中崎 靖 / Yasushi Nakasaki / ナカサキ ヤスシ
第4著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高石 理一郎 / Riichiro Takaishi / タカイシ リイチロウ
第5著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ
第6著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba)
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講演者
発表日時 2016-08-03 10:40:00 
発表時間 45 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-40 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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