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情報センシング研究会(IST) [schedule] [select]
委員長 須川 成利 (東北大)
副委員長 浜本 隆之 (東京理科大), 大竹 浩 (NHK)

シリコン材料・デバイス研究会(IEICE-SDM) [schedule] [select]
専門委員長 国清 辰也 (ルネサス エレクトロニクス)
副委員長 品田 高宏 (東北大)
幹事 黒田 理人 (東北大), 山口 直 (ルネサス エレクトロニクス)
幹事補佐 池田 浩也 (静岡大)

集積回路研究会(IEICE-ICD) [schedule] [select]
専門委員長 藤島 実 (広島大)
副委員長 日高 秀人 (ルネサスエレクトロニクス)
幹事 吉田 毅 (広島大), 高宮 真 (東大)
幹事補佐 橋本 隆 (パナソニック), 夏井 雅典 (東北大), 伊藤 浩之 (東工大), 範 公可 (電通大)

日時 2016年 8月 1日(月) 09:15 - 16:35
2016年 8月 2日(火) 09:00 - 16:55
2016年 8月 3日(水) 09:00 - 15:55
議題 アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
会場名 中央電気倶楽部 
住所 〒530−0004大阪市北区堂島浜2丁目1番25号
交通案内 http://www.chuodenki-club.or.jp/
会場世話人
連絡先
広島大学 先端物質科学研究科 吉田毅
06-6345-6357(会場)
他の共催 ◆IEEE SSCS Japan Chapter;IEEE SSCS Kansai Chapter;応用物理学会共催
お知らせ ◎8/2(火)パネル討論終了後,懇親会を予定しておりますので,是非御参加ください.

8月1日(月) 午前 
09:15 - 11:50
(1)
IEICE-ICD
09:15-10:00 [招待講演]イメージング技術の進化とセンシング応用への展望 大池祐輔若林準人野本哲夫ソニーセミコンダクタソリューションズ
(2)
IEICE-ICD
10:00-10:25 高速起動を特徴とした間欠動作型VLSIシステム用32-MHzオンチップクロック源回路 浅野大樹廣瀬哲也三好太朗椿 啓志尾崎年洋黒木修隆沼 昌宏神戸大
(3)
IEICE-ICD
10:25-10:50 A Low-Power Mixed-Domain Delta-Sigma Time-to-Digital Converter Using Charge-Pump and SAR ADC Anugerah FirdauziZule XuMasaya MiyaharaAkira MatsuzawaTokyo Tech.
  10:50-11:00 休憩 ( 10分 )
(4)
IST
11:00-11:25 電圧制御型Ring-Delay Line を用いた2次デルタシグマA/D変換器 羅 晳珍池辺将之内田大輔横山紗由里佐野栄一北大)・木下康大富士ゼロックス
(5)
IST
11:25-11:50 CMOSテラヘルツイメージング回路の設計と評価 脇田幸典佐野栄一池辺将之北大)・Arnold Stevanus尾辻泰一東北大)・瀧田佑馬南出泰亜理研
  11:50-13:00 昼食 ( 70分 )
8月1日(月) 午後 
13:00 - 15:15
(6)
IST
13:00-13:45 [招待講演]トランジスタ構造内二次元プラズモンを用いたサブテラヘルツ/テ ラヘルツデバイス 佐藤 昭渡辺隆之末光哲也ヴィクトール リズィー尾辻泰一東北大
(7)
IST
13:45-14:30 [招待講演]5μmピッチ以下の微細マイクロバンプ接合を用いた三次元積層型センサ/ディテクタ技術 元吉 真T-Micro
(8)
IEICE-SDM
14:30-15:15 [招待講演]Novel Pixel Structure with Stacked Deep Photodiode to Achieve High NIR Sensitivity and High MTF Hiroki TakahashiHiroshi TanakaMasahiro OdaMitsuyoshi AndoNaoto NiisoeTPSCo)・Shinichi KawaiTakuya AsanoMitsugu YoshitaTohru YamadaPSCS
  15:15-15:25 休憩 ( 10分 )
8月1日(月) 午後 
15:25 - 16:35
(9)
IEICE-ICD
15:25-15:50 [依頼講演]A 0.7V 1.5-to-2.3mW GNSS Receiver with 2.5-to-3.8dB NF in 28nm FD-SOI Ken YamamotoKenichi NakanoGaku HidaiYuya KondoHitoshi TomiyamaHideyuki TakanoFumitaka KondoYusuke ShinoheHidenori TakeuchiNobuhisa OzawaSSS)・Shingo HaradaShinichiro EtoMari KishikawaDaisuke IdeHiroyasu TagamiSony LSI Design
(10)
IEICE-ICD
15:50-16:35 [招待講演]高速追従一定アイドル時間制御の集積によるインプラント向けワイヤレス給電システムの効率・負荷応答改善 Huang ChengBroadcom)・○川尻 徹石黒仁揮慶大
8月2日(火) 午前 
09:00 - 10:30
(11)
IEICE-ICD
09:00-09:45 [招待講演]超低電圧SRAMのソフトエラー耐性 橋本昌宜阪大
(12)
IEICE-ICD
09:45-10:30 [招待講演]AI時代に向けたCMOSアナログ集積回路技術 松岡俊匡阪大
  10:30-10:40 休憩 ( 10分 )
8月2日(火) 午後 
10:40 - 12:10
(13)
IEICE-ICD
10:40-11:25 [招待講演]生体適合性柔軟伸縮電極ゲルシートを有するパッチ式脳波センサ技術とその応用 吉本秀輔荒木徹平植村隆文根津俊一近藤雅哉阪大)・笹井謙一パナソニック)・岩瀬雅之佐竹秀樹吉田暁生日本メクトロン)・菊知 充金沢大)・関谷 毅阪大
(14)
IEICE-ICD
11:25-12:10 [招待講演]ドライ電極を用いた脳波取得が可能な低電力生体電位センサASICチップセット 松本秋憲森川幸治パナソニック
  12:10-13:20 昼食 ( 70分 )
8月2日(火) 午後 
13:20 - 15:35
(15)
IEICE-ICD
13:20-14:05 [招待講演]臨床応用に向けた皮質脳波ワイヤレスBMIシステムの開発 安藤博士滝沢賢一NICT)・吉田 毅広島大)・松下光次郎岐阜大)・平田雅之吉峰俊樹阪大)・鈴木隆文NICT
(16)
IEICE-ICD
14:05-14:50 [招待講演]脈絡膜上経網膜刺激式人工網膜システムの特徴 ~ 電気回路の視点から ~ 寺澤靖雄鐘堂健三大澤孝治ニデック)・太田 淳奈良先端大
(17)
IST
14:50-15:35 [招待講演]半導体デバイスの光診断・治療への応用 間 久直阪大
  15:35-15:55 休憩 ( 20分 )
8月2日(火) 午後 
15:55 - 16:55
(18) 15:55-16:55 [パネル討論]医療応用集積回路の現状と今後の展望
松岡俊匡(阪大),間 久直(阪大)寺澤靖雄(ニデック),吉本秀輔(阪大),安藤博士(NICT),松本秋憲(パナソニック)
8月3日(水) 午前 
09:00 - 10:30
(19)
IEICE-SDM
09:00-09:45 [招待講演]多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 大内真一柳 永勛堀 洋平入沢寿史更田裕司森田行則右田真司森 貴洋中川 格塚田順一小池汎平昌原明植松川 貴産総研
(20)
IEICE-SDM
09:45-10:30 [招待講演]ReRAM固有の抵抗ばらつきを利用した40nm混載メモリ向け高信頼性PUF開発 吉本裕平加藤佳一小笠原 悟魏 志強河野和幸PSCS
  10:30-10:40 休憩 ( 10分 )
8月3日(水) 午後 
10:40 - 12:10
(21)
IEICE-SDM
10:40-11:25 [招待講演]薄膜強誘電体HfO2を用いたトンネル接合メモリの動作実証とメモリ性能向上 上牟田雄一藤井章輔井野恒洋中崎 靖高石理一郎齋藤真澄東芝
(22)
IEICE-SDM
11:25-12:10 [招待講演]3端子スピン軌道トルク磁気メモリ素子 深見俊輔姉川哲朗大河原綾人張 超亮大野英男東北大
  12:10-13:20 昼食 ( 70分 )
8月3日(水) 午後 
13:20 - 15:55
(23)
IEICE-ICD
13:20-14:05 [招待講演]機能安全規格ISO26262 ASIL Bに対応する16nm FinFETヘテロジニアス9コアSoC 高橋睦史芝原真一福岡一樹松嶋 潤北地祐子ルネサス システムデザイン)・島崎靖久原 博隆入田隆宏ルネサス エレクトロニクス
  14:05-14:15 休憩 ( 10分 )
(24)
IEICE-ICD
14:15-14:40 SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証 小笠原泰弘小池帆平産総研
(25)
IEICE-SDM
14:40-15:05 ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET 吉田貴大井田次郎堀井隆史金沢工大)・沖原将生ラピス)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
(26)
IEICE-SDM
15:05-15:30 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき 水谷朋子竹内 潔鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大
(27)
IEICE-SDM
15:30-15:55 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討 小林正治チャン キュンミン上山 望平本俊郎東大

講演時間
一般講演発表 20 分 + 質疑応答 5 分
招待講演発表 40 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
IST 情報センシング研究会(IST)   [今後の予定はこちら]
問合先 池辺将之
北海道大学 大学院情報科学研究科
ibeisti 
IEICE-SDM シリコン材料・デバイス研究会(IEICE-SDM)   [今後の予定はこちら]
問合先 諸岡 哲(東芝)
Tel 059-390-7451 Fax (059)330-1119
E-Mail: ba 
IEICE-ICD 集積回路研究会(IEICE-ICD)   [今後の予定はこちら]
問合先 吉田 毅 (広島大)
TEL 082-424-7643,FAX 082-424-7643
E-:tdsl-u 


Last modified: 2016-08-03 08:05:36


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