| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2017-10-19 14:45
Co/Ni細線内磁壁位置制御技術と磁気シフトレジスタへの応用検討
○近藤 剛・島田拓哉・門 昌輝・カンサ ミカエル・大寺泰章・梅津信之・橋本 進・中村志保（東芝） |
| 抄録 |
（和） |
固体ストレージ向け大記憶容量不揮発性メモリへの適用を念頭に磁性細線を用いた磁気シフトレジスタ（レーストラックメモリ）の研究おこなっている。本発表では、細線内に保持されたデータを破壊することなく移動させるために必要な磁壁位置制御技術を中心に最近の進捗について紹介する。 |
| （英） |
We have been studying on the magnetic shift register(MSR) using magnetic nanowire, as one of the candidates for the ultra-large scale nonvolatile memory utilized in the solid state data storage in next generation. In this report, we show the recent progress of our studies on the MSR. Primarily, the technology related to precise control of magnetic domain wall in the nanowire, which is imperative to maintain data in the MSR, is introduced. |
| キーワード |
（和） |
固体データストレージ / 不揮発性メモリ / 磁気シフトレジスタ / 電流誘起磁壁移動現象 / / / / |
| （英） |
solid-state data storage / nonvolatile memory / magnetic shift register / current-induced domain wall motion / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報 |
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査読に
ついて |
本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります． |
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