| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2017-11-13 15:40
［招待講演］限界時間分解能の理論に基づく50 psのシリコンイメージセンサの設計
○江藤剛治・Anh Quang Nguyen（立命館大）・鎌倉良成（阪大）・下ノ村和弘（立命館大） |
| 抄録 |
（和） |
筆者らは光電面の限界時間分解能の式を導いた3)．これを空乏化されたシリコン層に適用すると，シリコンイメージセンサの限界時間分解能は約11.1 psであることが導かれた（300 K, 550 nmの入射光の場合）．この式を導くに当たって，関連要素について，どのような条件のときに時間分解能が最小になる条件を与えるか検討した．ということは，その検討結果にできるだけ沿うようにイメージセンサを設計すれば，現在の技術で作ることができる最高速度のイメージセンサになる．このような方針で簡単なイメージセンサのモデルを作り，シミュレーションしたところ，センサチップについては比較的容易に50 psの分解能を達成できることがわかった． |
| （英） |
The authors theoretically derived an expression of the temporal resolution limit of photoelectron conversion layers3). By substituting parameters specific to Silicon to the expression, the temporal resolution limit of silicon image sensors is estimated as 11.1 ps for the temperature of 300 K and incident green light, = 550 nm. In the process of the derivation of the expression, the relating elements were set to minimize the temporal resolution. Therefore, if a high-speed image sensor is designed, following the theoretical consideration as strictly as possible, the resultant sensor realizes the highest frame rate achievable by using the current technology. A simple pixel model of an image sensor is designed according to the strategy and evaluated by simulation. It turned out that the sensor will achieve 50 ps. |
| キーワード |
（和） |
High-speed / Image Sensor / Temporal Resolution Limit / / / / / |
| （英） |
High-speed / Image Sensor / Temporal Resolution Limit / / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 41, no. 37, IST2017-65, pp. 23-27, 2017年11月. |
| 資料番号 |
IST2017-65 |
| 発行日 |
2017-11-06 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 |
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