講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-03-08 15:50
[依頼講演]高信頼性酸化物TFT基板を実現するAlOスパッタリング法によるセルフアライン構造形成技術 ○林 宏・村井淳人・三浦正範・寺井康浩・大島宜浩・齊藤 徹・廣升泰信・荒井俊明(JOLED) |
抄録 |
(和) |
ディスプレイの高精細化・高速駆動に適したセルフアライン型トップゲート酸化物TFTの新たな作製プロセスを開発した.本プロセスでは,低抵抗化した酸化物半導体膜に対し,トップゲート電極をマスクとしてAlO膜をスパッタリングすることで,酸化物半導体膜の低抵抗性を選択的に維持しソース/ドレイン領域とする.スパッタリング法により形成するAlO膜は,酸化物TFTの均一性や信頼性を劣化させる不純物の拡散に対し高いバリア性を持つ.また,大型基板に適用可能であり,生産性に優れる.本技術は,高均一性と高信頼性が求められる有機ELディスプレイを駆動する酸化物TFT基板の製造に有用である. |
(英) |
We have developed a novel fabrication process of self-aligned top-gate oxide TFT suitable for high resolution and high speed driving. In the process, AlO layer is sputtered with respect to the low-resistance oxide semiconductor film using top-gate electrode as mask, so that the low resistance oxide semiconductor region is selectively maintained to be a source/drain region. The AlO layer formed by sputtering method has a high barrier performance against impurity diffusion which deteriorates the uniformity and reliability of the oxide TFT. In addition, it can be easily expanded to a large substrate fabrication with high productivity. The developed technology is useful for manufacturing an oxide TFT backplane for OLED display which is required to have high uniformity and high reliability. |
キーワード |
(和) |
酸化物TFT / セルフアライン構造 / トップゲート / AlOバリア膜 / 有機ELディスプレイ / / / |
(英) |
oxide TFT / self-aligned structure / top-gate / AlO barrier layer / OLED display / / / |
文献情報 |
映情学技報, vol. 42, no. 8, IDY2018-21, pp. 31-35, 2018年3月. |
資料番号 |
IDY2018-21 |
発行日 |
2018-03-01 (IDY) |
ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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