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講演抄録/キーワード
講演名 2018-03-08 15:50
[依頼講演]高信頼性酸化物TFT基板を実現するAlOスパッタリング法によるセルフアライン構造形成技術
林 宏村井淳人三浦正範寺井康浩大島宜浩齊藤 徹廣升泰信荒井俊明JOLED
抄録 (和) ディスプレイの高精細化・高速駆動に適したセルフアライン型トップゲート酸化物TFTの新たな作製プロセスを開発した.本プロセスでは,低抵抗化した酸化物半導体膜に対し,トップゲート電極をマスクとしてAlO膜をスパッタリングすることで,酸化物半導体膜の低抵抗性を選択的に維持しソース/ドレイン領域とする.スパッタリング法により形成するAlO膜は,酸化物TFTの均一性や信頼性を劣化させる不純物の拡散に対し高いバリア性を持つ.また,大型基板に適用可能であり,生産性に優れる.本技術は,高均一性と高信頼性が求められる有機ELディスプレイを駆動する酸化物TFT基板の製造に有用である. 
(英) We have developed a novel fabrication process of self-aligned top-gate oxide TFT suitable for high resolution and high speed driving. In the process, AlO layer is sputtered with respect to the low-resistance oxide semiconductor film using top-gate electrode as mask, so that the low resistance oxide semiconductor region is selectively maintained to be a source/drain region. The AlO layer formed by sputtering method has a high barrier performance against impurity diffusion which deteriorates the uniformity and reliability of the oxide TFT. In addition, it can be easily expanded to a large substrate fabrication with high productivity. The developed technology is useful for manufacturing an oxide TFT backplane for OLED display which is required to have high uniformity and high reliability.
キーワード (和) 酸化物TFT / セルフアライン構造 / トップゲート / AlOバリア膜 / 有機ELディスプレイ / / /  
(英) oxide TFT / self-aligned structure / top-gate / AlO barrier layer / OLED display / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 42, no. 8, IDY2018-21, pp. 31-35, 2018年3月.
資料番号 IDY2018-21 
発行日 2018-03-01 (IDY) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IDY  
開催期間 2018-03-08 - 2018-03-08 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) ディスプレイ材料・製造技術シンポジウム2018 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IDY 
会議コード 2018-03-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高信頼性酸化物TFT基板を実現するAlOスパッタリング法によるセルフアライン構造形成技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Self-Aligned Source/Drain Formation Technology by AlO Sputtering Realizing Highly Reliable Oxide TFT Backplane 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化物TFT / oxide TFT  
キーワード(2)(和/英) セルフアライン構造 / self-aligned structure  
キーワード(3)(和/英) トップゲート / top-gate  
キーワード(4)(和/英) AlOバリア膜 / AlO barrier layer  
キーワード(5)(和/英) 有機ELディスプレイ / OLED display  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 宏 / Hiroshi Hayashi / ハヤシ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) 株式会社JOLED (略称: JOLED)
JOLED Inc. (略称: JOLED)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 村井 淳人 / Atsuhito Murai / ムライ アツヒト
第2著者 所属(和/英) 株式会社JOLED (略称: JOLED)
JOLED Inc. (略称: JOLED)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 正範 / Masanori Miura / ミウラ マサノリ
第3著者 所属(和/英) 株式会社JOLED (略称: JOLED)
JOLED Inc. (略称: JOLED)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺井 康浩 / Yasuhiro Terai / テライ ヤスヒロ
第4著者 所属(和/英) 株式会社JOLED (略称: JOLED)
JOLED Inc. (略称: JOLED)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 宜浩 / Yoshihiro Oshima / オオシマ ヨシヒロ
第5著者 所属(和/英) 株式会社JOLED (略称: JOLED)
JOLED Inc. (略称: JOLED)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 徹 / Tohru Saitoh / サイトウ トオル
第6著者 所属(和/英) 株式会社JOLED (略称: JOLED)
JOLED Inc. (略称: JOLED)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣升 泰信 / Yasunobu Hiromasu / ヒロマス ヤスノブ
第7著者 所属(和/英) 株式会社JOLED (略称: JOLED)
JOLED Inc. (略称: JOLED)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 俊明 / Toshiaki Arai / アライ トシアキ
第8著者 所属(和/英) 株式会社JOLED (略称: JOLED)
JOLED Inc. (略称: JOLED)
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講演者
発表日時 2018-03-08 15:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IDY 
資料番号 ITE-IDY2018-21 
巻番号(vol) ITE-42 
号番号(no) no.8 
ページ範囲 pp.31-35 
ページ数 ITE-5 
発行日 ITE-IDY-2018-03-01 


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