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講演抄録/キーワード
講演名 2018-03-09 15:10
裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発
岡 博史井上慶太郎阪大)・Thi Thuy Nguyen黒木伸一郎広島大)・細井卓治志村考功渡部平司阪大
抄録 (和) 近赤外帯域(2-5 um)でのイメージング/センシングは暗視装置や環境測定、生体計測など様々な分野への応用が期待されている。IV族混晶であるGeSnはSn組成に応じてバンドギャップが縮小しカットオフ波長が1.55 um以上に長波長化することから、III-V族化合物に代わる近赤外受光材料として近年注目されている。本研究ではIV族ベースの高感度近赤外イメージセンサー実現に向け、レーザー溶融結晶化技術を用いて石英基板上に裏面照射型単結晶GeSnフォトダイオードアレイを作製したので報告する。 
(英) Imaging and sensing using near-infrared (NIR) light with a wavelength of 2-5 um have attracted a great interest due to its various applications including night vision, environmental monitoring, and biochemical sensing. GeSn alloy is a promising group-IV mixed crystal for NIR photodetection due to its tunable bandgap and extended cut-off wavelength (>1.55 um) depending on Sn content. In this work, we have fabricated single-crystalline GeSn photodiode array on a quartz substrate by novel laser-induced liquid-phase crystallization technique. Thanks to high transparency of quartz to the NIR light, a quantum yield of 100% at a wavelength of 1.55 um was obtained by back-side illumination. The present technology enables monolithically integrated group-IV-based back-side illuminated NIR image sensor.
キーワード (和) GeSn / センサーアレイ / 石英基板 / 近赤外受光 / 裏面照射 / / /  
(英) GeSn / Sensor array / Quartz substrate / Near-infrared photodetection / Back-side illumination / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 42, no. 10, IST2018-22, pp. 47-50, 2018年3月.
資料番号 IST2018-22 
発行日 2018-03-02 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST  
開催期間 2018-03-09 - 2018-03-09 
開催地(和) NHK 放送技術研究所講堂 
開催地(英) NHK Housou-Gijyutu Lab. 
テーマ(和) 固体撮像技術および一般 
テーマ(英) Image Sensors, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2018-03-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Single-crystalline GeSn Photodiode Array on Quartz Substrate for Back-side Illuminated Near-infrared Image Sensor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GeSn / GeSn  
キーワード(2)(和/英) センサーアレイ / Sensor array  
キーワード(3)(和/英) 石英基板 / Quartz substrate  
キーワード(4)(和/英) 近赤外受光 / Near-infrared photodetection  
キーワード(5)(和/英) 裏面照射 / Back-side illumination  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 慶太郎 / Keitaro Inoue / イノウエ ケイタロウ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Thi Thuy Nguyen / Thi Thuy Nguyen / Thi Thuy Nguyen
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro Kuroki / クロキ シンイチロウ
第4著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ
第7著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2018-03-09 15:10:00 
発表時間 20 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2018-22 
巻番号(vol) ITE-42 
号番号(no) no.10 
ページ範囲 pp.47-50 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IST-2018-03-02 


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