| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2018-03-09 15:10
裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発
○岡 博史・井上慶太郎（阪大）・Thi Thuy Nguyen・黒木伸一郎（広島大）・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） |
| 抄録 |
（和） |
近赤外帯域（2-5 um）でのイメージング/センシングは暗視装置や環境測定、生体計測など様々な分野への応用が期待されている。IV族混晶であるGeSnはSn組成に応じてバンドギャップが縮小しカットオフ波長が1.55 um以上に長波長化することから、III-V族化合物に代わる近赤外受光材料として近年注目されている。本研究ではIV族ベースの高感度近赤外イメージセンサー実現に向け、レーザー溶融結晶化技術を用いて石英基板上に裏面照射型単結晶GeSnフォトダイオードアレイを作製したので報告する。 |
| （英） |
Imaging and sensing using near-infrared (NIR) light with a wavelength of 2-5 um have attracted a great interest due to its various applications including night vision, environmental monitoring, and biochemical sensing. GeSn alloy is a promising group-IV mixed crystal for NIR photodetection due to its tunable bandgap and extended cut-off wavelength (>1.55 um) depending on Sn content. In this work, we have fabricated single-crystalline GeSn photodiode array on a quartz substrate by novel laser-induced liquid-phase crystallization technique. Thanks to high transparency of quartz to the NIR light, a quantum yield of 100% at a wavelength of 1.55 um was obtained by back-side illumination. The present technology enables monolithically integrated group-IV-based back-side illuminated NIR image sensor. |
| キーワード |
（和） |
GeSn / センサーアレイ / 石英基板 / 近赤外受光 / 裏面照射 / / / |
| （英） |
GeSn / Sensor array / Quartz substrate / Near-infrared photodetection / Back-side illumination / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 42, no. 10, IST2018-22, pp. 47-50, 2018年3月. |
| 資料番号 |
IST2018-22 |
| 発行日 |
2018-03-02 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
|