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講演抄録／キーワード
講演名 2018-08-08 09:00
［招待講演］酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向 ～ 不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用 ～
○島　久・高橋　慎・内藤泰久・秋永広幸（産総研）
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文献情報 映情学技報
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研究会情報
研究会 IST IEICE-ICD IEICE-SDM  
開催期間 2018-08-07 - 2018-08-09 
開催地（和） 北海道大学 M棟M151 
開催地（英） Hokkaido University M Bldg. M151 
テーマ（和） アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ（英）  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2018-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） 酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向 
サブタイトル（和） 不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用 
タイトル（英） Research trends of resistance change devices using oxide materials 
サブタイトル（英） Application to non-volatile memory and neuromorphic device 
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 島 久 / Hisashi Shima / シマ ヒサシ
第1著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 高橋 慎 / Makoto Takahashi / タカハシ マコト
第2著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 内藤 泰久 / Yasuhisa Naitoh / ナイトウ ヤスヒサ
第3著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 秋永 広幸 / Hiroyuki Akinaga / アキナガ ヒロユキ
第4著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2018-08-08 09:00:00 
発表時間 45分 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号（vol） vol.42 
号番号（no）  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  

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