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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-25 11:45
ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太杉崎澄夫龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
抄録 (和) 非真空プロセスであるミストCVD法により,レアメタルフリーなGa-Sn-O(GTO)薄膜を成膜し,それを用いたデバイスを作成した.成膜されたGTO薄膜をチャネル層とした薄膜トランジスタを作成し,トランジスタとして駆動していることを確認した.また,同様の方法で成膜されたGTO薄膜を用いたクロスポイント型の抵抗変化型メモリを作成,評価した. 
(英) We made devices using Ga-Sn-O(GTO) thin films deposited by mist CVD method. A thin film transistor incorporating GTO prepared by the mist CVD method as a channel layer was fabricated with the AlOx dielectric onto Si substrate. The device was evaluated and confirmed that it was success driven. In addition, switching resistance memory using a GTO thin film prepared by the mist CVD method was created and evaluated.
キーワード (和) 酸化物半導体 / GaSnO / 薄膜トランジスタ / ミストCVD / / / /  
(英) Oxide semiconductor / GaSnO / thin film transistor / mistCVD / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 42, no. 45, IDY2018-57, pp. 13-16, 2018年12月.
資料番号 IDY2018-57 
発行日 2018-12-18 (IDY) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970

研究会情報
研究会 IEICE-EID IEICE-SDM IDY  
開催期間 2018-12-25 - 2018-12-25 
開催地(和) 龍谷大学 響都ホール 校友会館 
開催地(英)  
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IDY 
会議コード 2018-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Device Using Thin Film of GTO by MistCVD Method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 酸化物半導体 / Oxide semiconductor  
キーワード(2)(和/英) GaSnO / GaSnO  
キーワード(3)(和/英) 薄膜トランジスタ / thin film transistor  
キーワード(4)(和/英) ミストCVD / mistCVD  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 滝下 雄太 / Yuta Takishita / タキシタ ユウタ
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉崎 澄夫 / Sumio Sugisaki / スギサキ スミオ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 是友 大地 / Daichi Koretomo / コレトモ ダイチ
第3著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 曲 勇作 / Yusaku Magari / マガリ ユウサク
第4著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 古田 守 / Mamoru Furuta / フルタ マモル
第5著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: KUT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ
第6著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ
第7著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
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講演者
発表日時 2018-12-25 11:45:00 
発表時間 15 
申込先研究会 IDY 
資料番号 ITE-IDY2018-57 
巻番号(vol) ITE-42 
号番号(no) no.45 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IDY-2018-12-18 


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