講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-01-25 09:50
[ポスター講演]低毒性量子ドットEL素子の高効率化に向けた正孔輸送材料の検討 ○小倉 渓・本村玄一・都築俊満・藤崎好英(NHK)・長久保準基・平川正明・西橋 勉(アルバック) |
抄録 |
(和) |
量子ドットはその高い単色性や塗布成膜が可能であるという特徴から,様々な分野で注目を集めている.量子ドット材料としてはCdをベースとしたものが報告されており,高い外部量子効率が得られている.しかし,Cdの毒性の高さから安全性や環境への影響が問題とされており,Cdに代わる高性能な量子ドット材料の開発が強く望まれている.今回我々は,Cdを含まないInPベースの量子ドットとしてZnInGaP/ZnSを合成し,これを発光層に用いた逆構造EL素子(QD-LED)を作製して性能を評価した.正孔輸送層に3種類の材料,α-NPD,CFL,TCTAを用いたところ,ZnInGaP/ZnSとTCTAの組み合わせにより高い外部量子効率が得られることを見出した. |
(英) |
Quantum dot light-emitting diodes(QD-LEDs) have drawn much attention because of its high colour purities and solution processability. Recently, Cd-based QD-LEDs have been reported to show high colour purity and external quantum efficiency (EQE). However, because of its toxicity and restrictions on the use of these Cd-based materials, their substitution for Cd-based materials is highly desired. We synthesised new Cd-Free material, ZnInGaP/ZnS, and fabricated a QD-LED with an inverted structure using ZnInGaP/ZnS for an emitting layer, and three types of material for a hole transport layer. Consequently, it was found that the combination of ZnInGaP/ZnS and TCTA was effective for realizing high-efficiency QD-LEDs. |
キーワード |
(和) |
広色域 / 低毒性量子ドット / QD-LED / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 1, IDY2019-16, pp. 77-80, 2019年1月. |
資料番号 |
IDY2019-16 |
発行日 |
2019-01-17 (IDY) |
ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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