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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-08 13:55
製造バラツキを考慮したCMOSテラヘルツイメージセンサ向け画素利得バラツキ補償機構
池上高広平田脩馬澤口浩太朗永安佑次金澤悠里池辺将之北大
抄録 (和) CMOSテラヘルツイメージセンサ向けの利得バラツキ補償機構を提案する.テラヘルツ (Terahertz,THz) 波を受信しMOSFETにより包絡線検波を行う際,製造バラツキの影響でピクセルごとの利得にもバラツキを生じる.我々は検波用MOSFETの動作点をピクセルごとに補償した定電流源で定めることで利得のバラツキを抑える方法を提案する.適切に動作点を設定することで,利得の変動を抑えられることをシミュレーションで示した.また,グローバルシャッタに適合する形での利得バラツキ補償も可能であることを確認した. 
(英) We propose a gain compensation mechanism for CMOS terahertz image sensors. Even though we use a MOSFET envelope detector to get the envelope of terahertz (THz) wave, pixel gain variation can occur due to the process variation which affects device parameters. To compensate the pixel variation, we propose to set the operating point by current source calibration. From simulations we confirm that operating point setting can suppress the gain variation. Additionally, this improved compensation mechanism is applicable to global shutter.
キーワード (和) テラヘルツ / テラヘルツイメージセンサ / CMOS / 包絡線検波 / 製造バラツキ / バラツキ補償 / グローバルシャッタ /  
(英) terahertz / terahertz image sensor / CMOS / envelope detector / process variation / variation compensation / global shutter /  
文献情報 映情学技報, vol. 43, no. 25, IST2019-41, pp. 49-52, 2019年8月.
資料番号 IST2019-41 
発行日 2019-08-01 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-SDM IEICE-ICD IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 製造バラツキを考慮したCMOSテラヘルツイメージセンサ向け画素利得バラツキ補償機構 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Gain calibration technique for CMOS terahertz image sensor pixels to compensate the process variation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ / terahertz  
キーワード(2)(和/英) テラヘルツイメージセンサ / terahertz image sensor  
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(4)(和/英) 包絡線検波 / envelope detector  
キーワード(5)(和/英) 製造バラツキ / process variation  
キーワード(6)(和/英) バラツキ補償 / variation compensation  
キーワード(7)(和/英) グローバルシャッタ / global shutter  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池上 高広 / Takahiro Ikegami / イケガミ タカヒロ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平田 脩馬 / Yuma Hirata / ヒラタ ユウマ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 澤口 浩太朗 / Kotaro Sawaguchi / サワグチ コウタロウ
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 永安 佑次 / Yuji Nagayasu / ナガヤス ユウジ
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 金澤 悠里 / Yuri Kanazawa / カナザワ ユウリ
第5著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 池辺 将之 / Masayuki Ikebe / イケベ マサユキ
第6著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者
発表日時 2019-08-08 13:55:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2019-41 
巻番号(vol) ITE-43 
号番号(no) no.25 
ページ範囲 pp.49-52 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IST-2019-08-01 


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