| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2019-08-08 13:55
製造バラツキを考慮したCMOSテラヘルツイメージセンサ向け画素利得バラツキ補償機構
○池上高広・平田脩馬・澤口浩太朗・永安佑次・金澤悠里・池辺将之（北大） |
| 抄録 |
（和） |
CMOSテラヘルツイメージセンサ向けの利得バラツキ補償機構を提案する．テラヘルツ (Terahertz，THz) 波を受信しMOSFETにより包絡線検波を行う際，製造バラツキの影響でピクセルごとの利得にもバラツキを生じる．我々は検波用MOSFETの動作点をピクセルごとに補償した定電流源で定めることで利得のバラツキを抑える方法を提案する．適切に動作点を設定することで，利得の変動を抑えられることをシミュレーションで示した．また，グローバルシャッタに適合する形での利得バラツキ補償も可能であることを確認した． |
| （英） |
We propose a gain compensation mechanism for CMOS terahertz image sensors. Even though we use a MOSFET envelope detector to get the envelope of terahertz (THz) wave, pixel gain variation can occur due to the process variation which affects device parameters. To compensate the pixel variation, we propose to set the operating point by current source calibration. From simulations we confirm that operating point setting can suppress the gain variation. Additionally, this improved compensation mechanism is applicable to global shutter. |
| キーワード |
（和） |
テラヘルツ / テラヘルツイメージセンサ / CMOS / 包絡線検波 / 製造バラツキ / バラツキ補償 / グローバルシャッタ / |
| （英） |
terahertz / terahertz image sensor / CMOS / envelope detector / process variation / variation compensation / global shutter / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 25, IST2019-41, pp. 49-52, 2019年8月. |
| 資料番号 |
IST2019-41 |
| 発行日 |
2019-08-01 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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