| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2019-09-20 13:45
横型オーバーフロー蓄積容量を用いた飽和電荷量120ke-,変換ゲイン160µV/e-を有する2.8µm裏面照射型画素の光学特性
○宮内 健・盛 一也・高柳 功・中村淳一（ブリルニクス）・須川成利（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
本論文では，単一露光での広ダイナミックレンジセンサの更なる性能向上のために，裏面照射技術を用いた2.8µmサイズの横型オーバーフロー蓄積容量(LOFIC)画素を新規に採用した試作チップの光学特性について報告する．本画素構造により，160µV/e- の電荷-電圧変換ゲイン，120ke- の飽和電荷数，ブルーミング無しで量子効率70%以上，±20度での角度依存性 >91% (マイクロレンズ未最適化) を達成した． |
| （英） |
In this paper, we report about a prototype CMOS image sensor with a 2.8µm back side illuminated (BSI) pixel that employs the lateral overflow integration capacitor (LOFIC) to further expand dynamic range of our reported sensors. Owing to this structure, 160µV/e- conversion gain, 120ke- full well capacity, 70% peak quantum efficiency and 91% angular response at ±20° have been achieved without blooming. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / 横型オーバーフロー蓄積容量 / 広ダイナミックレンジ / 高感度 / 高飽和 / 単一露光型 / 裏面照射 / |
| （英） |
CMOS Image Sensor / Lateral Overflow Integration Capacitor / Wide Dynamic Range / High Sensitivity / High Full Well Capacity / Single Exposure / Back Side Illumination / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 43, no. 31, IST2019-48, pp. 21-24, 2019年9月. |
| 資料番号 |
IST2019-48 |
| 発行日 |
2019-09-13 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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