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講演抄録/キーワード
講演名 2019-12-24 14:05
Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸劉 麗高知工科大
抄録 (和) 絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄膜トランジスタ (GTO TFT) の特性を比較した.
結果として,Al2O3絶縁膜のないGTO TFTよりも,Al2O3絶縁膜上のGTO TFTの方が高い移動度が得られた.
これは,GTO TFT特性のさらなる改善の可能性を示唆している. 
(英) We compared the characteristics of Ga-Sn-O Thin Film Transistors (GTO TFTs) with and without an Al2O3 film by mist Chemical Vapor Deposition (mist CVD) method as an insulator layer.
As a result, high mobility was obtained from the GTO TFT on the Al2O3 insulating film.
This result suggests the possibility of further improvement of GTO TFT characteristics.
キーワード (和) ミストCVD法 (mist CVD) / Al2O3 / Ga-Sn-O (GTO) / 薄膜トランジスタ (TFT) / / / /  
(英) mist Chemical Vapor Deposition (mist CVD) / Al2O3 / Ga-Sn-O (GTO) / Thin-Film Transistor (TFT) / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 43, no. 44, IDY2019-70, pp. 9-12, 2019年12月.
資料番号 IDY2019-70 
発行日 2019-12-17 (IDY) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-SDM IEICE-EID IDY  
開催期間 2019-12-24 - 2019-12-24 
開催地(和) 奈良先端大(物質領域 大講義室) 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) 半導体材料プロセス・デバイス研究会 
テーマ(英) Semiconductor Material Process and Device Meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IDY 
会議コード 2019-12-SDM-EID-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ga-Sn-O TFT fabricated on Al2O3 insulating film 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ミストCVD法 (mist CVD) / mist Chemical Vapor Deposition (mist CVD)  
キーワード(2)(和/英) Al2O3 / Al2O3  
キーワード(3)(和/英) Ga-Sn-O (GTO) / Ga-Sn-O (GTO)  
キーワード(4)(和/英) 薄膜トランジスタ (TFT) / Thin-Film Transistor (TFT)  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 一輝 / Kazuki Hattori / ハットリ カズキ
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 谷野 健太 / Kenta Tanino / タニノ ケンタ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松田 時宜 / Tokiyoshi Matsuda / マツダ トキヨシ
第3著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ
第4著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 川原村 敏幸 / Toshiyuki Kawaharamura / カワハラムラ トシユキ
第5著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ of Tech)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 劉 麗 / Li Liu / リュウ リー
第6著者 所属(和/英) 高知工科大学 (略称: 高知工科大)
Kochi University of Technology (略称: Kochi Univ of Tech)
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講演者
発表日時 2019-12-24 14:05:00 
発表時間 20 
申込先研究会 IDY 
資料番号 ITE-IDY2019-70 
巻番号(vol) ITE-43 
号番号(no) no.44 
ページ範囲 pp.9-12 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IDY-2019-12-17 


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