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講演抄録/キーワード
講演名 2019-12-24 13:45
ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発
小林雅樹杉崎澄生木村 睦龍谷大
抄録 (和) 我々は酸化物半導体 Ga-Sn-O(GTO)薄膜を用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)についての研究を行っ ている。今回は低コストで成膜が可能であるミスト CVD 法を用いて酸化物層を成膜し、ReRAM を作製して評価 した。作製した素子の I-V 特性を評価したところ、150 回の繰り返し、メモリとしての特性を確認した。 
(英) We are conducting research on Resistive Random Access Memory (ReRAM) using Ga-Sn-O(GTO) thin films. In this study, we fabricated and evaluated an oxide layer ReRAM using the low-cost mist CVD method. The experiment of the I-V characteristics was repeated 150 times, and the characteristics as a memory were confirmed.
キーワード (和) 抵抗変化型メモリ / Ga-Sn-O / ミストCVD法 / / / / /  
(英) ReRAM / Ga-Sn-O / Mist CVD method / / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 43, no. 44, IDY2019-69, pp. 5-8, 2019年12月.
資料番号 IDY2019-69 
発行日 2019-12-17 (IDY) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-SDM IEICE-EID IDY  
開催期間 2019-12-24 - 2019-12-24 
開催地(和) 奈良先端大(物質領域 大講義室) 
開催地(英) NAIST 
テーマ(和) 半導体材料プロセス・デバイス研究会 
テーマ(英) Semiconductor Material Process and Device Meeting 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IDY 
会議コード 2019-12-SDM-EID-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Development of memristor using Ga-Sn-O thin film by mist CVD method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 抵抗変化型メモリ / ReRAM  
キーワード(2)(和/英) Ga-Sn-O / Ga-Sn-O  
キーワード(3)(和/英) ミストCVD法 / Mist CVD method  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 雅樹 / Masaki Kobayashi / コバヤシ マサキ
第1著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉崎 澄生 / Sumio Sugisaki / スギサキ スミオ
第2著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 睦 / Mutsumi Kimura / キムラ ムツミ
第3著者 所属(和/英) 龍谷大学 (略称: 龍谷大)
Ryukoku University (略称: Ryukoku Univ.)
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講演者
発表日時 2019-12-24 13:45:00 
発表時間 20 
申込先研究会 IDY 
資料番号 ITE-IDY2019-69 
巻番号(vol) ITE-43 
号番号(no) no.44 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IDY-2019-12-17 


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