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講演抄録／キーワード
講演名 2020-01-24 11:10
［ポスター講演］低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用
○河野守哉・森　海・是友大地・古田　守（高知工科大）
抄録 （和） フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)絶縁膜の膜物性を評価した結果、熱処理温度150℃、膜厚20 nmにおいて6.2 MV/cmと良好な絶縁破壊電界強度を示した。このAl2O3をゲート絶縁膜に用い、最高プロセス温度150℃にてInGaZnOx (IGZO) TFTを作製した結果、ゲート絶縁膜厚20 nmにおいても1 pA以下の低リーク電流かつ、良好な特性を実現した。 
（英） (Available after conference date)
キーワード （和） InGaZnO(IGZO) / 酸化アルミニウム / 陽極酸化 / 薄膜トランジスタ（TFT） / / / /  
（英） InGaZnO(IGZO) / Aluminum oxide / anodization / Thin Film Transistor (TFT) / / / /  
文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
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研究会情報
研究会 IDY IEICE-EID IEIJ-SSL SID-JC IEE-EDD  
開催期間 2020-01-23 - 2020-01-24 
開催地（和） 鳥取大鳥取キャンパス 
開催地（英） Tottori Univ 
テーマ（和） 発光型／非発光型ディスプレイ合同研究会 
テーマ（英）  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-EID 
会議コード 2020-01-EID-IDY-SSL-JC-EDD 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） 低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Physical properties of anodized aluminum oxide for low temperature processed IGZO thin-film transistors. 
サブタイトル（英）  
キーワード(1)（和/英） InGaZnO(IGZO) / InGaZnO(IGZO)  
キーワード(2)（和/英） 酸化アルミニウム / Aluminum oxide  
キーワード(3)（和/英） 陽極酸化 / anodization  
キーワード(4)（和/英） 薄膜トランジスタ（TFT） / Thin Film Transistor (TFT)  
キーワード(5)（和/英） /  
キーワード(6)（和/英） /  
キーワード(7)（和/英） /  
キーワード(8)（和/英） /  
第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 河野 守哉 / Kono Shuya / コウノ シュウヤ
第1著者 所属（和/英） 高知工科大学 (略称： 高知工科大)
Kochi University Of Technology (略称： KUT)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 森 海 / Mori Marin / モリ マリン
第2著者 所属（和/英） 高知工科大学 (略称： 高知工科大)
Kochi University Of Technology (略称： KUT)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 是友 大地 / Koretomo Daichi / コレトモ ダイチ
第3著者 所属（和/英） 高知工科大学 (略称： 高知工科大)
Kochi University Of Technology (略称： KUT)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 古田 守 / Furuta Mamoru / フルタ マモル
第4著者 所属（和/英） 高知工科大学 (略称： 高知工科大)
Kochi University Of Technology (略称： KUT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2020-01-24 11:10:00 
発表時間 5分 
申込先研究会 IEICE-EID 
資料番号  
巻番号（vol） vol.44 
号番号（no） no.1 
ページ範囲  
ページ数  
発行日  

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