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講演抄録/キーワード
講演名 2020-08-06 10:15
[招待講演]Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
トープラサートポン カシディット林 早阳李 宗恩竹中 充高木信一東大
抄録 (和) 強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり,強誘電体/半導体界面における強誘電分極・反転層電荷・トラップ電荷の複雑な相互作用によってデバイス動作が決まる.本発表では,我々が提唱した測定手法であるP-Vと準静的Split C-V測定およびホール測定によって明らかになった分極と電荷の相互作用,および強誘電体FETの複雑なデバイス動作と非対称なメモリ特性の起源について解説する. 
(英) Ferroelectric FETs, where the ferroelectric material is employed as the MOSFET gate insulator, are different from conventional MOSFETs that the device operation is determined by the complicated interaction between ferroelectric polarization/inversion charges/trapped charges at the ferroelectric/semiconductor interface. In this report, we summarize our finding on the interaction between polarization and charges extracted from P-V and quasi-static split C-V measurements, proposed by our group, together with Hall measurements, and discuss the origin of complicated device operation and asymmetric memory characteristics of ferroelectric FETs.
キーワード (和) 強誘電体FET / デバイス動作機構 / 反転層電荷 / 準静的Split C-V / 分極-電圧特性 / / /  
(英) Ferroelectric FET / Device operation mechanism / Inversion charge / Quasi-static split C-V / Polarization-voltage characteristics / / /  
文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-ICD IEICE-SDM IST  
開催期間 2020-08-06 - 2020-08-07 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2020-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Polarization/charge coupling in Si ferroelectric FET and its impact on memory characteristics 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 強誘電体FET / Ferroelectric FET  
キーワード(2)(和/英) デバイス動作機構 / Device operation mechanism  
キーワード(3)(和/英) 反転層電荷 / Inversion charge  
キーワード(4)(和/英) 準静的Split C-V / Quasi-static split C-V  
キーワード(5)(和/英) 分極-電圧特性 / Polarization-voltage characteristics  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) トープラサートポン カシディット / Kasidit Toprasertpong / トープラサートポン カシディット
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 早阳 / Zaoyang Lin / リン ザオヤーン
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 宗恩 / Tsung-En Lee / リ ソウオン
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
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講演者
発表日時 2020-08-06 10:15:00 
発表時間 45 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-44 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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