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講演抄録/キーワード
講演名 2020-10-05 15:25
[招待講演]3次元積層技術を用いた多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子の作製 ~ 単結晶磁気抵抗素子の近年の進展 ~
桜庭裕弥チン カミン物材機構)・薬師寺 啓倉島優一渡辺直也福島章雄高木秀樹菊地克弥湯浅新治産総研)・宝野和博物材機構
抄録 (和) 単結晶構造を有する巨大磁気抵抗(GMR)素子やトンネル磁気抵抗素子は、高い性能を示すだけでなく基礎的観点でも興味深く多くの研究が行われてきた.近年、準安定bcc Cuスペーサーやハーフメタルホイスラー合金電極を用いた単結晶GMR素子で過去最高クラスの磁気抵抗出力が観測されている。しかし、それらは非実用的なMgO単結晶基板の必要性が実用デバイスへの大きな足枷となっている。本研究では、Si基板上にMgO基板上と同等の高い耐熱性を持つ単結晶磁気抵抗素子を実現するとともに、3次元積層技術によって多結晶電極上への貼り付けを行うことに成功した。本プロセスにより、単結晶磁気抵抗素子を実用展開させる新たな道筋が示された。 
(英) Single crystalline giant magnetoresistance (GMR) and tunneling magnetoresistance devices have been extensively studied because of not only its high magnetoresistance (MR) performance but also its ideal structure to understand fundamental properties. Recently, we observed the highest MR output in single crystalline GMR devices using metastable bcc Cu spacer or half-metallic Heusler alloy electrodes. However, because of a necessity to use unpractical MgO substrate, there is a strong obstacle for them toward practical applications. In this study, we have successfully realized the single crystalline GMR device on Si substrate and bonded it on the poly-crystalline electrode using three dimensional integration technique. This process opens up a new approach to use single crystalline MR device for practical applications.
キーワード (和) スピントロニクス / 単結晶磁気抵抗素子 / 3次元積層技術 / 巨大磁気抵抗素子 / / / /  
(英) Spintronics / Single-crystalline magnetoresistance device / three dimensional integration technique / / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 44, no. 25, MMS2020-50, pp. 21-25, 2020年10月.
資料番号 MMS2020-50 
発行日 2020-09-28 (MMS) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-MRIS MMS  
開催期間 2020-10-05 - 2020-10-05 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) ヘッド,スピントロニクス,固体メモリ, 媒体, 一般 
テーマ(英) Recording Head, Spintronics, Solid State Memory, Media, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MMS 
会議コード 2020-10-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3次元積層技術を用いた多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子の作製 
サブタイトル(和) 単結晶磁気抵抗素子の近年の進展 
タイトル(英) Fabrication of the fully-epitaxial magnetoresistance device on the poly-crystalline electrode using three-dimensional integration technology 
サブタイトル(英) Progress of fully-epitaxial magnetoresistance devices 
キーワード(1)(和/英) スピントロニクス / Spintronics  
キーワード(2)(和/英) 単結晶磁気抵抗素子 / Single-crystalline magnetoresistance device  
キーワード(3)(和/英) 3次元積層技術 / three dimensional integration technique  
キーワード(4)(和/英) 巨大磁気抵抗素子 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 桜庭 裕弥 / Yuya Sakuraba /
第1著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物材機構)
National Institute for Materials Research (略称: NIMS)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) チン カミン / Jiamin Chen /
第2著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物材機構)
National Institute for Materials Research (略称: NIMS)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 薬師寺 啓 / Kay Yakushiji /
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 倉島 優一 / Yuichi Kurashima /
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 直也 / Naoya Watanabe /
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 福島 章雄 / Akio Fukushima /
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 高木 秀樹 / Hideki Takagi /
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊地 克弥 / Katsuya Kikuchi /
第8著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 湯浅 新治 / Shinji Yuasa /
第9著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 宝野 和博 / Kazuhiro Hono /
第10著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: 物材機構)
National Institute for Materials Research (略称: NIMS)
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講演者
発表日時 2020-10-05 15:25:00 
発表時間 50 
申込先研究会 MMS 
資料番号 ITE-MMS2020-50 
巻番号(vol) ITE-44 
号番号(no) no.25 
ページ範囲 pp.21-25 
ページ数 ITE-5 
発行日 ITE-MMS-2020-09-28 


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