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講演抄録/キーワード
講演名 2020-12-02 14:00
積層構造によるAl2O3/GaN MOS特性の改善
曽根原 翔上沼睦典・○浦岡行治奈良先端大
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-EID IEICE-SDM IDY  
開催期間 2020-12-02 - 2020-12-02 
開催地(和) 龍谷大学 響都ホール 校友会館 
開催地(英)  
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2020-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 積層構造によるAl2O3/GaN MOS特性の改善 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of Al2O3/GaN MOS Characteristics using Bilayer Structure 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 曽根原 翔 / Sho Sonehara / ソネハラ ショウ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第3著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
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講演者
発表日時 2020-12-02 14:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-44 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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