| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2021-01-22 11:30
GaN HEMTの小信号等価回路解析による深い準位の評価
○西村匠史・田渕将也（佐賀大）・山口裕太郎・大塚友絢・新庄真太郎・山中宏治（三菱電機）・大石敏之（佐賀大） |
| 抄録 |
（和） |
GaN HEMTは，マイクロ波高出力増幅器として実用化されているが，材料の持つポテンシャルを発揮するために，HEMT中に存在する深い準位が電気的特性に与える影響を解明する必要がある．今回，等価回路を使って深い準位がHEMTの周波数特性に与える影響を検討した．抵抗、コンデンサ、電流源から成るトラップ回路を各端子間に挿入し、Yパラメータの周波数応答を計算した結果，ドレイン・ソース間の場合，Y21とY22にトラップ回路の影響が現れた．また、GD間の場合、Y11，Y21に信号が観察された．ゲート・ソース間では，Y11に影響が現れた．Y12の信号に与えるトラップ回路による影響は見られなかった．以上、トラップと周波数特性の関連性が明確になり、マイクロ波の性能を向上させるための有用な情報となる． |
| （英） |
Although GaN HEMTs have been put to practical use as microwave high-power amplifiers, it is necessary to elucidate the effects of deep levels existing in HEMTs on electrical characteristics in order to realize the potential of materials. This time, we investigated the effect of the deep level that was regarded as an equivalent circuit (trap circuit) on the frequency characteristics of HEMT. As a result of inserting a trap circuit consisting of a resistor, a capacitor, and a current source between each terminal and calculating the frequency response of the Y parameter, the effect of the trap circuit appeared on Y21 and Y22 in the case of between the drain and source. In the case of between gate and drain, signals were observed at Y11 and Y21. Between the gate and source, Y11 was affected, but the trap circuit on the Y12 signal was not affected. As described above, the relationship between the trap and the frequency characteristic is clarified, and it is considered to be useful information for improving the performance of microwaves. |
| キーワード |
（和） |
マイクロ波 / GaN HEMT / 深い準位 / トラップ / Yパラメータ / 小信号等価回路 / / |
| （英） |
Microwave / GaN HEMT / Trap / Small signal equivalent circuit / Y parameter / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 45, no. 1, BCT2021-2, pp. 5-8, 2021年1月. |
| 資料番号 |
BCT2021-2 |
| 発行日 |
2021-01-15 (BCT) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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