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講演抄録/キーワード
講演名 2021-01-22 11:30
GaN HEMTの小信号等価回路解析による深い準位の評価
西村匠史田渕将也佐賀大)・山口裕太郎大塚友絢新庄真太郎山中宏治三菱電機)・大石敏之佐賀大
抄録 (和) GaN HEMTは,マイクロ波高出力増幅器として実用化されているが,材料の持つポテンシャルを発揮するために,HEMT中に存在する深い準位が電気的特性に与える影響を解明する必要がある.今回,等価回路を使って深い準位がHEMTの周波数特性に与える影響を検討した.抵抗、コンデンサ、電流源から成るトラップ回路を各端子間に挿入し、Yパラメータの周波数応答を計算した結果,ドレイン・ソース間の場合,Y21とY22にトラップ回路の影響が現れた.また、GD間の場合、Y11,Y21に信号が観察された.ゲート・ソース間では,Y11に影響が現れた.Y12の信号に与えるトラップ回路による影響は見られなかった.以上、トラップと周波数特性の関連性が明確になり、マイクロ波の性能を向上させるための有用な情報となる. 
(英) Although GaN HEMTs have been put to practical use as microwave high-power amplifiers, it is necessary to elucidate the effects of deep levels existing in HEMTs on electrical characteristics in order to realize the potential of materials. This time, we investigated the effect of the deep level that was regarded as an equivalent circuit (trap circuit) on the frequency characteristics of HEMT. As a result of inserting a trap circuit consisting of a resistor, a capacitor, and a current source between each terminal and calculating the frequency response of the Y parameter, the effect of the trap circuit appeared on Y21 and Y22 in the case of between the drain and source. In the case of between gate and drain, signals were observed at Y11 and Y21. Between the gate and source, Y11 was affected, but the trap circuit on the Y12 signal was not affected. As described above, the relationship between the trap and the frequency characteristic is clarified, and it is considered to be useful information for improving the performance of microwaves.
キーワード (和) マイクロ波 / GaN HEMT / 深い準位 / トラップ / Yパラメータ / 小信号等価回路 / /  
(英) Microwave / GaN HEMT / Trap / Small signal equivalent circuit / Y parameter / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 45, no. 1, BCT2021-2, pp. 5-8, 2021年1月.
資料番号 BCT2021-2 
発行日 2021-01-15 (BCT) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 BCT KYUSHU IEEE-BT IEEE-AP-S-FUKUOKA  
開催期間 2021-01-22 - 2021-01-22 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) Online 
テーマ(和) アンテナ・伝搬、マイクロ波における学生・若手発表、および、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 BCT 
会議コード 2021-01-BCT-KYUSHU-BT-AP-S-FUKUOKA 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaN HEMTの小信号等価回路解析による深い準位の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of deep level by small signal equivalent circuit analysis of GaN HEMT 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) マイクロ波 / Microwave  
キーワード(2)(和/英) GaN HEMT / GaN HEMT  
キーワード(3)(和/英) 深い準位 / Trap  
キーワード(4)(和/英) トラップ / Small signal equivalent circuit  
キーワード(5)(和/英) Yパラメータ / Y parameter  
キーワード(6)(和/英) 小信号等価回路 /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 匠史 / Takumi Nishimura / ニシムラ タクミ
第1著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 田渕 将也 / Masaya Tabuchi / タブチ マサヤ
第2著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 裕太郎 / Yutaro Yamaguchi / ヤマグチ ユウタロウ
第3著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corp. (略称: Mitsubishi Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大塚 友絢 / Tomohiro Otsuka / オオツカ トモヒロ
第4著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corp. (略称: Mitsubishi Electric)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 新庄 真太郎 / Shintaro Shinjo / シンジョウ シンタロウ
第5著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corp. (略称: Mitsubishi Electric)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 宏治 / Yutaro Yamanaka / ヤマナカ コウジ
第6著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corp. (略称: Mitsubishi Electric)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 大石 敏之 / Toshiyuki Oishi / オオイシ トシユキ
第7著者 所属(和/英) 佐賀大学 (略称: 佐賀大)
Saga University (略称: Saga Univ.)
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講演者
発表日時 2021-01-22 11:30:00 
発表時間 20 
申込先研究会 BCT 
資料番号 ITE-BCT2021-2 
巻番号(vol) ITE-45 
号番号(no) no.1 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-BCT-2021-01-15 


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