| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2021-06-10 15:50
透明基板を用いたZnO抵抗変化型メモリの作製
○南 香菜・大野武雄（大分大）・Firman Mangasa Simanjuntak・寒川誠二（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
次世代不揮発性メモリの一つにイオンの伝導現象と電気化学反応を動作原理とする抵抗変化型メモリがある．このメモリ構造中でイオン伝導が生じるスイッチング層には主に酸化物材料が用いられるが，その中で，透明材料であるZnO を用いた抵抗変化型メモリの研究が活発に行われている．本研究では，透明基板上へのZnO 薄膜成膜を各種スパッタリング条件を用いて行い，スパッタパワーおよびガス圧力がオン・オフ比やスイッチング回数などのスイッチング特性に影響することを確認した．また，プラズマから生成される中性の酸素ビームをZnO 薄膜に照射してメモリ構造を作製することで，良好なスイッチング特性を得た． |
| （英） |
One of the next-generation non-volatile memories is a resistive memory whose operating principle is an ion conduction phenomenon and an electrochemical reaction. In this memory structure oxide materials are mainly used as a switching layer in which ion conduction occurs, and among them, research on resistive switching memory using a ZnO, which is a transparent material, is being actively conducted. In this study, formation of ZnO thin film on a transparent substrate was performed by using various sputtering conditions, and it was confirmed that the sputtering power and gas pressure affects the switching characteristics such as the on/off ratio and the switching cycles. In addition, good switching characteristics were obtained by irradiating the ZnO thin film with a neutral oxygen beam generated from a plasma during a device process. |
| キーワード |
（和） |
抵抗変化型メモリ / ZnO スパッタ / 透明材料 / 中性酸素ビーム / / / / |
| （英） |
Resistive RAM / ZnO sputtering / transparent material / neutral oxygen beam / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 45, no. 14, MMS2021-30, pp. 23-27, 2021年6月. |
| 資料番号 |
MMS2021-30 |
| 発行日 |
2021-06-03 (MMS) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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