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講演抄録/キーワード
講演名 2022-08-09 11:50
極低温MOSFETにおける閾値増大現象のTCADシミュレーション解析
浅井栄大稲葉 工服部淳一福田浩一岡 博史森 貴洋産総研
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文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-ICD IEICE-SDM IST  
開催期間 2022-08-08 - 2022-08-10 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英) On-line 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2022-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 極低温MOSFETにおける閾値増大現象のTCADシミュレーション解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) TCAD Analysis for threshold voltage increase in cryogenic MOSFET operation 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲葉 工 / Takumi Inaba / イナバ タクミ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 淳一 / Junichi Hattori / ハットリ ジュンイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2022-08-09 11:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) 46 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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