| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2024-08-07 10:00
［招待講演］SOIの転写技術を用いた湾曲CMOSイメージセンサ
○後藤正英・為村成亨・佐藤弘人（NHK） |
| 抄録 |
（和） |
Complementary Metal Oxide Semiconductor（CMOS）イメージセンサ本来の高精細・高フレームレートなどの高い性能を有し，かつ自由に曲げることのできる新たなイメージセンサの実現を目指して，フレキシブルCMOSイメージセンサの研究を進めている．薄片化技術により，厚さ11 μm以下のシリコンCMOSデバイス層だけをプラスチック製の柔軟な基板に転写して，CMOSイメージセンサを柔軟化することができる．これまでに，CMOS回路をプラスチック基板に転写する作製技術を構築し，デバイスの柔軟性や湾曲状態での動作を確認した．さらに，イメージセンサの動作実証のため，読み出し回路を設計・試作し，像面湾曲収差の補正に向けて，湾曲して撮像する取り組みを進めている．開発した技術は，カメラの高画質化や小型化に寄与するとともに，各種センサ・論理回路・メモリ・ディスプレイなど様々なデバイスに柔軟性という新たな機能をもたらすことができる． |
| （英） |
We study flexible complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensors that can be freely bent while possessing high performance such as high resolution and high frame rate inherent to CMOS image sensors. The CMOS image sensor can be made flexible by transferring the silicon CMOS device layer, which is less than 11 µm thick, onto a flexible plastic substrate. We have developed a fabrication technology for transferring CMOS circuits onto plastic substrates and have confirmed flexibility of the device and its operation in a curved state. Furthermore, we have designed and fabricated a readout circuit of the image sensor to demonstrate capturing images in a curved state and correcting curvature aberration. The developed technology contributes to higher image quality and smaller size of cameras, as well as brings new functions of flexibility to various devices such as sensors, logic circuits, memories, and displays. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / フレキシブル / 湾曲 / silicon-on-insulator (SOI) / 集積回路 / 転写 / / |
| （英） |
CMOS image sensor / flexible / curved / silicon-on-insulator (SOI) / integrated circuit / transfer / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 48, no. 26, IST2024-41, pp. 14-18, 2024年8月. |
| 資料番号 |
IST2024-41 |
| 発行日 |
2024-07-29 (IST) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
IEICE-ICD IEICE-SDM IST |
| 開催期間 |
2024-08-05 - 2024-08-07 |
| 開催地（和） |
北海道大学薬学部第二講義室 |
| 開催地（英） |
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| テーマ（和） |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
IST |
| 会議コード |
2024-08-ICD-SDM-IST |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
SOIの転写技術を用いた湾曲CMOSイメージセンサ |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Curved CMOS Image Sensors Developed by SOI Transfer Technology |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor |
| キーワード(2)（和/英） |
フレキシブル / flexible |
| キーワード(3)（和/英） |
湾曲 / curved |
| キーワード(4)（和/英） |
silicon-on-insulator (SOI) / silicon-on-insulator (SOI) |
| キーワード(5)（和/英） |
集積回路 / integrated circuit |
| キーワード(6)（和/英） |
転写 / transfer |
| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
後藤 正英 / Masahide Goto / ゴトウ マサヒデ |
| 第1著者 所属（和/英） |
NHK放送技術研究所 (略称： NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称： NHK) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
為村 成亨 / Shigeyuki Imura / |
| 第2著者 所属（和/英） |
NHK放送技術研究所 (略称： NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称： NHK) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
佐藤 弘人 / Hiroto Sato / |
| 第3著者 所属（和/英） |
NHK放送技術研究所 (略称： NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称： NHK) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2024-08-07 10:00:00 |
| 発表時間 |
45分 |
| 申込先研究会 |
IST |
| 資料番号 |
IST2024-41 |
| 巻番号（vol） |
vol.48 |
| 号番号（no） |
no.26 |
| ページ範囲 |
pp.14-18 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2024-07-29 (IST) |
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