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講演抄録/キーワード
講演名 2024-12-06 09:50
[招待講演]3次元磁気メモリ応用のためのCoPt極薄膜およびナノ円柱のめっき形成技術
高村陽太黄 童雙Science Tokyo)・Md. Mahmudul Hasan齋藤美紀子早大)・葛西伸哉NIMS)・大島大輝加藤剛志名大)・中川茂樹Science Tokyo
抄録 (和) 次世代の情報ストレージメモリとして期待される3次元磁気メモリに向けたCoPt極薄膜およびナノワイヤーのめっき形成技術について最新の研究成果をまとめた.高アスペクト比の磁性ナノ円柱は,プロセス上の制約からめっきで作製する必要があり,したがって,めっきでスピントロニクスデバイス用の磁性材料を形成する技術が求められる.本報告では,直流めっき法による電析電位による組成および磁気特性の制御を行い,パルスめっき法により極薄膜領域でも角形比がほぼ1の垂直磁化膜が得られることを示した.また,メンブレンを用いてCo$_{80}$Pt$_{20}$ナノ円柱を作製し,その磁区構造を明らかにするとともに,電位変調により[Co$_{80}$Pt$_{20}$/Co$_{30}$Pt$_{70}$]$_N$多層ナノワイヤーを液中一貫で形成した成果を報告する. 
(英) This report summarizes recent research on electrodeposition techniques for CoPt ultrathin films and nanowires for an application to next-generation 3D magnetic memory applications. Due to process limitations, high-aspect-ratio magnetic nanocolumns are required to be formed by electrodeposition technique. Therefore, development of ultrathin spintronic magnetic layers by electrodeposition is necessary. This study demonstrates electrodeposition of CoPt thin layers, and control of its composition and magnetic property. Pulsed electrodeposition achieved 7 nm thick Co$_{70}$Pt$_{30}$ showing perpendicular magnetic anisotropy. Additionally, Co$_{80}$Pt$_{20}$ nanowires were fabricated using membranes, and their magnetic domain structures were clarified. Multilayer [Co$_{80}$Pt$_{20}$/Co$_{30}$Pt$_{70}$]$_N$ nanowires were formed in a single bath by potential modulation.
キーワード (和) 3次元磁気メモリ / レーストラックメモリ / めっき / CoPt / 極薄膜 / ナノワイヤー / /  
(英) 3D magnetic memory / race track memory / electrodeposition / CoPt / ultrathin films / nanowires / /  
文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-MRIS MMS  
開催期間 2024-12-05 - 2024-12-06 
開催地(和) 愛媛大学 (総合情報メディアセンター) 
開催地(英) Ehime Univ. (CITE) 
テーマ(和) 信号処理・ホログラム+一般 
テーマ(英) Signal Processing, Holographic Data Storage, and Others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-MRIS 
会議コード 2024-12-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3次元磁気メモリ応用のためのCoPt極薄膜およびナノ円柱のめっき形成技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrochemical deposition technique for formation of ultrathin layers and multilayered nano-pillars of CoPt alloys for 3D magnetic memory applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3次元磁気メモリ / 3D magnetic memory  
キーワード(2)(和/英) レーストラックメモリ / race track memory  
キーワード(3)(和/英) めっき / electrodeposition  
キーワード(4)(和/英) CoPt / CoPt  
キーワード(5)(和/英) 極薄膜 / ultrathin films  
キーワード(6)(和/英) ナノワイヤー / nanowires  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 高村 陽太 / Yota Takamura / タカムラ ヨウタ
第1著者 所属(和/英) 東京科学大学 (略称: Science Tokyo)
Institute of Science Tokyo (略称: Science Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 黄 童雙 / Tongshuang Huang / Tongshuang Huang
第2著者 所属(和/英) 東京科学大学 (略称: Science Tokyo)
Institute of Science Tokyo (略称: Science Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Md. Mahmudul Hasan / Md. Mahmudul Hasan / Md. Mahmudul Hasan
第3著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 美紀子 / Mikiko Saito / サイトウ ミキコ
第4著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 葛西 伸哉 / Shinya Kasai / カサイ シンヤ
第5著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構 (略称: NIMS)
National Institute for Materials Science (略称: NIMS)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 大島 大輝 / Daiki Oshima / オオシマ ダイキ
第6著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 剛志 / Takeshi Kato / カトウ タケシ
第7著者 所属(和/英) 名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa /
第8著者 所属(和/英) 東京科学大学 (略称: Science Tokyo)
Institute of Science Tokyo (略称: Science Tokyo)
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講演者 第1著者 
発表日時 2024-12-06 09:50:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 IEICE-MRIS 
資料番号  
巻番号(vol) vol.48 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


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