| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2025-01-23 13:20
［ポスター講演］BCl3を原料に用いる層状BNの減圧CVDにおける炭素混入機構
○青池琉希・太田颯真・竹村 晃・中野颯斗・青山涼太・成瀬 匠・小南裕子・原 和彦（静岡大） |
| 抄録 |
（和） |
我々は、B原料にBCl3ガスを使用する減圧化学気相成長により、六方晶窒化ホウ素薄膜の作製に取り組んでいる。BCl3はCを含まないことから、膜中へのC不純物混入の低減が期待されたが、実際には相当量のCが膜中に含まれていることがわかった。本発表では、h-BN薄膜について、膜中のC濃度およびC不純物が膜特性に及ぼす影響を調査した結果について述べる。H2雰囲気中で成長した膜では、N2雰囲気に比較してC濃度が低下し、グレインの径および形状に大きな変化がみられた。さらに、膜中へのC取り込みには、膜形成過程も影響していることも示唆された。また、発光スペクトルのC濃度依存性から、C不純物が起源の可能性がある発光を検証した。 |
| （英） |
We have been working on low-pressure chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride thin films using BCl3 gas as a boron source. It was expected that C impurities in the films can be reduced because BCl3 does not contain C. However, it has been found that a considerable amount of C was contained in the films. In this study, the C concentration in the grown film and its influence on film properties were investigated. The films grown in the H2 atmosphere showed lower C concentrations than those grown in the N2 atmosphere and larger change in the size and shape of the grains. Furthermore, it was suggested that C incorporation is also affected by the film formation process. The C impurity-rerated emissions were discussed based on the dependence of the emission spectra on C concentration. |
| キーワード |
（和） |
窒化ホウ素 / CVD / 層状物質 / 深紫外発光 / カソードルミネッセンス / 炭素不純物 / / |
| （英） |
Boron nitride / CVD / Layered material / Deep-ultraviolet emission / Cathodoluminescence / Carbon impurity / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 49, no. 1, IDY2025-3, pp. 9-12, 2025年1月. |
| 資料番号 |
IDY2025-3 |
| 発行日 |
2025-01-16 (IDY) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
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