| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2025-01-23 13:10
［ポスター講演］ミストCVDによるZnOナノ粒子分散Ga2O3薄膜の作製と評価
○大久津 武・齋藤日菜・氏家丈斗・谷川莉央・原 和彦・光野徹也・小南裕子（静岡大） |
| 抄録 |
（和） |
ミスト化学気相法により、c面サファイア基板上にZnOナノ粒子分散Ga2O3薄膜を作製した。始めに、基板温度（Tg）によるGa2O3の結晶構造の変化を調べ、α相が安定して形成されるTgとして500 ℃を決定した。次いで、原料溶液にZnOナノ粒子を添加することにより、α-Ga2O3膜中にZnOナノ粒子を分散させた。作製した試料は、室温においてZnO由来のフォトルミネッセンスを示した。透過電子顕微鏡の元素分析では、ZnOナノ粒子とみなせる粒状の高濃度のZn領域が観測された。 |
| （英） |
ZnO nanoparticle-dispersed Ga2O3 thin films were prepared on c-plane sapphire substrates by the mist chemical vapor deposition. First, the change in the crystal structure of Ga2O3 with substrate temperature (Tg) was investigated, and 500 ℃ was determined as the Tg at which the αphase is stably formed. Then, ZnO nanoparticles were dispersed in the α-Ga2O3 film by adding ZnO nanoparticles to the source solution. The grown samples showed photoluminescence that can be assigned to emission from ZnO at room temperature. Elemental analysis by transmission electron microscopy showed a granular region with high Zn concentrations that is considered ZnO nanoparticle. |
| キーワード |
（和） |
ミスト化学気相法 / ZnO / Ga2O3 / 薄膜成長 / フォトルミネッセンス / / / |
| （英） |
Mist chemical vapor deposition / ZnO / Ga2O3 / Thin films growth / Photoluminescence / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 49, no. 1, IDY2025-2, pp. 5-8, 2025年1月. |
| 資料番号 |
IDY2025-2 |
| 発行日 |
2025-01-16 (IDY) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
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