| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2025-08-08 11:15
［招待講演］GaN MOS界面制御の重要性
○赤澤正道・佐藤威友（北大） |
| 抄録 |
（和） |
窒化ガリウム（GaN）が，次世代パワー半導体材料として期待される理由と，その特性を最大限引き出せるMOSFETを実現するためにMOS界面の制御方法の確立が重要であることを述べる．シリコン以外のMOS構造において理想的な界面特性を得ることは一般には非常に難しいが，自立GaN基板上のn型GaNによるMOS構造においては，伝導帯下端付近の界面準位密度が極めて低く，理想に近いMOS界面特性が得られる．p型GaNによるMOS構造においても同様の特性が得られるように，価電子帯上端付近の界面準位密度を低減すべく，適切な界面形成プロセスの確立を図ることが喫緊の課題であることを述べ，我々の最近の研究の結果について報告する． |
| （英） |
We explain the reason for expecting gallium nitride (GaN) as a candidate of next-generation power semiconductor materials. Even though obtaining an excellent MOS interface of non-silicon semiconductors is difficult, MOS structures on n-type GaN layers grown on free-standing GaN substrates exhibit excellent interface properties with a low density of interface states near the conduction band edge. It is an urgent issue to establish an appropriate interface formation process for p-type GaN MOS structures for obtaining similarly excellent interface properties with minimizing the interface states density near the valence band edge. Here, we report our recent research results on this issue. |
| キーワード |
（和） |
GaN / MIS / MOS / 界面準位 / 欠陥準位 / / / |
| （英） |
GaN / MIS / MOS / interface states / defect states / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 49, no. 21, IST2025-33, pp. 13-19, 2025年8月. |
| 資料番号 |
IST2025-33 |
| 発行日 |
2025-07-30 (IST) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
|
| 研究会情報 |
| 研究会 |
IEICE-SDM IEICE-ICD IST |
| 開催期間 |
2025-08-06 - 2025-08-08 |
| 開催地（和） |
北海道大学薬学部第二講義室 |
| 開催地（英） |
Hokkaido Univ. Prmaceutical of Science |
| テーマ（和） |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
IST |
| 会議コード |
2025-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
GaN MOS界面制御の重要性 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Importance of Controlling GaN MOS Interfaces |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） |
MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） |
MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） |
界面準位 / interface states |
| キーワード(5)（和/英） |
欠陥準位 / defect states |
| キーワード(6)（和/英） |
/ |
| キーワード(7)（和/英） |
/ |
| キーワード(8)（和/英） |
/ |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
赤澤 正道 / Masamichi Akazawa / アカザワ マサミチ |
| 第1著者 所属（和/英） |
北海道大学 (略称： 北大)
Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ |
| 第2著者 所属（和/英） |
北海道大学 (略称： 北大)
Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第3著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第4著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第5著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第6著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第7著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第8著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第9著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第10著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第11著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第12著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第13著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第14著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第15著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第16著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第17著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第18著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第19著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第19著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第20著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第20著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第21著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第21著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第22著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第22著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第23著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第23著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第24著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第24著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第25著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第25著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第26著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第26著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第27著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第27著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第28著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第28著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第29著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第29著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第30著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第30著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第31著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第31著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第32著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第32著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第33著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第33著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第34著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第34著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第35著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第35著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 第36著者 氏名（和/英/ヨミ） |
/ / |
| 第36著者 所属（和/英） |
(略称： )
(略称： ) |
| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2025-08-08 11:15:00 |
| 発表時間 |
45分 |
| 申込先研究会 |
IST |
| 資料番号 |
IST2025-33 |
| 巻番号（vol） |
vol.49 |
| 号番号（no） |
no.21 |
| ページ範囲 |
pp.13-19 |
| ページ数 |
7 |
| 発行日 |
2025-07-30 (IST) |
|