| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2025-09-18 13:50
Charge domain type 2.2um BSI Global Shutter pixel with Dual Depth DTI Produced by thick-film epitaxial process
○Toshifumi Yokoyama・Yoshihiro Noguchi・Yoshiaki Nishi・Masafumi Tsutsui・Masahiko Takeuchi・Masahiro Oda（TPSCo）・Fenigstein Amos（Tower） |
| 抄録 |
（和） |
チャージドメイン方式の2.2um裏面照射型(BSI)グローバルシャッター(GS)画素を開発し、低い寄生光感度(PLS)を実現した。厚膜エピと深いDeep Trench Isolation (DTI)プロセスを採用し、メモリーノードの読み出し側と非読み出し側で深さの異なるDual Depth DTI構造により1/PLSを向上させた。この新開発画素は、これまでで最も小型のチャージドメイン方式のGS画素である。コンパクトなサイズにもかかわらず、量子効率(QE)、1/PLSにおいて優れた特性を実現した。 |
| （英） |
We developed a 2.2um Backside Illuminated (BSI) Global Shutter (GS) pixel with true charge-domain Correlated Double Sampling (CDS). A thick-epi deep DTI (Deep Trench Isolation) process was implemented to enhance 1/PLS (Parasitic Light Sensitivity) using a dual-depth DTI structure. This newly developed pixel represents the smallest ever charge-domain GS pixel to date. Despite its compact size, it demonstrates exceptional performance by means of Quantum Efficiency (QE), and 1/PLS. |
| キーワード |
（和） |
グローバルシャッター / BSI / 寄生光感度 / / / / / |
| （英） |
global shutter / BSI / Parasitic Light Sensitivity / / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 49, no. 25, IST2025-40, pp. 17-20, 2025年9月. |
| 資料番号 |
IST2025-40 |
| 発行日 |
2025-09-11 (IST) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
|