| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2025-12-04 15:55
［招待講演］低消費電力アナログAI演算の実現に向けた磁壁移動型スピンメモリスタの開発
○山田章悟・柴田竜雄・米村祥吾・具志俊希・寺崎幸夫・佐々木智生（TDK） |
| 抄録 |
（和） |
磁壁移動型スピンメモリスタは，線形かつ対称的なコンダクタンス応答や不揮発性などの特長により，低消費電力ニューロモーフィックデバイスを実現する人工シナプス素子の候補として注目されている．本研究では，合成反強磁性多層膜に対して部分的にArイオンエッチングを施すことにより，磁壁移動型スピンメモリスタに必須となる2つの磁化固定部および磁壁移動部を1つの素子内に形成した．その結果，単純な外部磁場操作により磁壁移動層内に単一の磁壁が導入・維持されるとともに，電流誘起磁壁移動が可能であることが実証された．これらの知見は，磁壁移動型スピンメモリスタの素子構造および製造プロセスの可能性を広げるものである． |
| （英） |
Domain-wall (DW) motion type spin-memristors are attractive candidates for artificial synapse elements in analog neuromorphic devices due to their conductance response and nonvolatility. Such features provide substantial potential for implementing low-power-consumption artificial intelligence systems. We employed Ar-ion etching to fabricate two distinct fixed magnetic parts with opposing magnetization directions, along with a DW motion part, from a continuous synthetic antiferromagnetic multi-layer stack. Consequently, single DW formation was achieved through a simple magnetic field operation, together with current-induced DW motion. These findings highlight the potential of DW motion type spin-memristors to simplify the fabrication process for practical applications. |
| キーワード |
（和） |
ニューロモーフィックデバイス / スピントロニクス / 磁壁移動 / メモリスタ / / / / |
| （英） |
Neuromorphic device / Spintronics / Domain-wall motion / Memristor / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 49, no. 35, MMS2025-46, pp. 11-16, 2025年12月. |
| 資料番号 |
MMS2025-46 |
| 発行日 |
2025-11-27 (MMS) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
IEICE-MRIS MMS SHIKOKU |
| 開催期間 |
2025-12-04 - 2025-12-05 |
| 開催地（和） |
愛媛大学 (総合情報メディアセンター) |
| 開催地（英） |
Ehime Univ. (CITE) |
| テーマ（和） |
信号処理・ホログラム＋一般 |
| テーマ（英） |
Signal Processing, Holographic Data Storage, and Others |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
MMS |
| 会議コード |
2025-12-MRIS-MMS-SHIKOKU |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
低消費電力アナログAI演算の実現に向けた磁壁移動型スピンメモリスタの開発 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Development of domain-wall motion type spin-memristors for realizing low-power analog AI computing |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
ニューロモーフィックデバイス / Neuromorphic device |
| キーワード(2)（和/英） |
スピントロニクス / Spintronics |
| キーワード(3)（和/英） |
磁壁移動 / Domain-wall motion |
| キーワード(4)（和/英） |
メモリスタ / Memristor |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
山田 章悟 / Shogo Yamada / ヤマダ ショウゴ |
| 第1著者 所属（和/英） |
TDK株式会社 (略称： TDK)
TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
柴田 竜雄 / Tatsuo Shibata / シバタ タツオ |
| 第2著者 所属（和/英） |
TDK株式会社 (略称： TDK)
TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
米村 祥吾 / Shogo Yonemura / ヨネムラ ショウゴ |
| 第3著者 所属（和/英） |
TDK株式会社 (略称： TDK)
TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
具志 俊希 / Toshiki Gushi / グシ トシキ |
| 第4著者 所属（和/英） |
TDK株式会社 (略称： TDK)
TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） |
寺崎 幸夫 / Yukio Terasaki / テラサキ ユキオ |
| 第5著者 所属（和/英） |
TDK株式会社 (略称： TDK)
TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） |
佐々木 智生 / Tomoyuki Sasaki / ササキ トモユキ |
| 第6著者 所属（和/英） |
TDK株式会社 (略称： TDK)
TDK Corporation (略称： TDK) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第7著者 所属（和/英） |
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| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2025-12-04 15:55:00 |
| 発表時間 |
40分 |
| 申込先研究会 |
MMS |
| 資料番号 |
MMS2025-46 |
| 巻番号（vol） |
vol.49 |
| 号番号（no） |
no.35 |
| ページ範囲 |
pp.11-16 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2025-11-27 (MMS) |