| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2026-07-29 13:30
［招待講演］集積素子応用に向けた高移動度酸化物半導体の原子層堆積方法
高橋崇典・○浦岡行治（奈良先端大） |
| 抄録 |
（和） |
Ga添加In₂O₃（poly-IGO）ナノシートの形成プロセス、電子輸送特性、およびFET特性を報告する。5 nm厚で120 cm²/Vs級の高移動度と優れた膜厚スケーリング特性を達成し、格子歪みと移動度の相関を明らかにした。高移動度酸化物半導体チャネルの設計指針について議論する。 |
| （英） |
We report high-mobility Ga-doped In₂O₃ (poly-IGO) nanosheet FETs exhibiting excellent thickness scalability and clarify the relationship between lattice strain and electron transport properties for next-generation oxide semiconductor applications. |
| キーワード |
（和） |
酸化物半導体 / Ga添加In₂O₃ / ナノシートFET / 高移動度チャネル / / / / |
| （英） |
Oxide Semiconductor / Ga-doped In₂O₃ / ,Nanosheet FET / High-Mobility Channel / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 50, no. 20, IDY2026-35, pp. 5-9, 2026年7月. |
| 資料番号 |
IDY2026-35 |
| 発行日 |
2026-07-22 (IDY) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
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| 研究会情報 |
| 研究会 |
IDY IEICE-EID SID-JC |
| 開催期間 |
2026-07-29 - 2026-07-29 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 6階65号室+ZOOM |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. +Zoom |
| テーマ（和） |
ディスプレイ一般 |
| テーマ（英） |
Information Display |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
IDY |
| 会議コード |
2026-07-IDY-EID-JC |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
集積素子応用に向けた高移動度酸化物半導体の原子層堆積方法 |
| サブタイトル（和） |
|
| タイトル（英） |
Atomic Layer Deposition of High Mobility Oxide Semiconductors for Integrated Device Applications |
| サブタイトル（英） |
|
| キーワード(1)（和/英） |
酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） |
Ga添加In₂O₃ / Ga-doped In₂O₃ |
| キーワード(3)（和/英） |
ナノシートFET / ,Nanosheet FET |
| キーワード(4)（和/英） |
高移動度チャネル / High-Mobility Channel |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
高橋 崇典 / Takanori Takahashi / タカハシ タカノリ |
| 第1著者 所属（和/英） |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第2著者 所属（和/英） |
奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第2著者 |
| 発表日時 |
2026-07-29 13:30:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
IDY |
| 資料番号 |
IDY2026-35 |
| 巻番号（vol） |
vol.50 |
| 号番号（no） |
no.20 |
| ページ範囲 |
pp.5-9 |
| ページ数 |
5 |
| 発行日 |
2026-07-22 (IDY) |