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講演抄録／キーワード
講演名 2026-08-04 10:45
極低温MOSFET動作におけるサブレッショルド特性のゲート長依存性
○香取　匠（産総研/東京電機大）・浅井栄大・岡　博史・加藤公彦・稲葉　工・小林唯華・中山隆史（産総研）・森山悟士（東京電機大）・森　貴洋（産総研）
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文献情報 映情学技報
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研究会情報
研究会 IEICE-ICD IEICE-SDM IST  
開催期間 2026-08-04 - 2026-08-06 
開催地（和） 北海道大学薬学部第二講義室 
開催地（英） Hokkaido Univ, Pharmaceutical Sciences, Lecture Room 2 
テーマ（和） アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ（英） Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2026-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル（和） 極低温MOSFET動作におけるサブレッショルド特性のゲート長依存性 
サブタイトル（和）  
タイトル（英） Gate-length dependence of subthreshold slope in cryogenic operation of MOSFETs 
サブタイトル（英）  
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第1著者 氏名（和/英/ヨミ） 香取 匠 / Takumi Katori / カトリ タクミ
第1著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所/東京電機大学 (略称： 産総研/東京電機大)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tokyo Denki University (略称： AIST/TDU)
第2著者 氏名（和/英/ヨミ） 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ
第2著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第3著者 氏名（和/英/ヨミ） 岡 博史 / Hiroshi Oka / オカ ヒロシ
第3著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第4著者 氏名（和/英/ヨミ） 加藤 公彦 / Kimihiko Kato / カトウ キミヒコ
第4著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第5著者 氏名（和/英/ヨミ） 稲葉 工 / Takumi Inaba / イナバ タクミ
第5著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第6著者 氏名（和/英/ヨミ） 小林 唯華 / Yuika Kobayashi / コバヤシ ユイカ
第6著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第7著者 氏名（和/英/ヨミ） 中山 隆史 / Takashi Nakayama / ナカヤマ タカシ
第7著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
第8著者 氏名（和/英/ヨミ） 森山 悟士 / Satoshi Moriyama / モリヤマ サトシ
第8著者 所属（和/英） 東京電機大学 (略称： 東京電機大)
Tokyo Denki University (略称： TDU)
第9著者 氏名（和/英/ヨミ） 森 貴洋 / Takahiro Mori / モリ タカヒロ
第9著者 所属（和/英） 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2026-08-04 10:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号（vol） vol. 
号番号（no）  
ページ範囲  
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