| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2026-08-04 10:45
極低温MOSFET動作におけるサブレッショルド特性のゲート長依存性
○香取 匠（産総研/東京電機大）・浅井栄大・岡 博史・加藤公彦・稲葉 工・小林唯華・中山隆史（産総研）・森山悟士（東京電機大）・森 貴洋（産総研） |
| 抄録 |
（和） |
本研究では，極低温条件における長チャネルのn型およびp型MOSFETにおいて，サブスレッショルド特性（SS）のゲート長依存性を実験的に明らかにし，そのメカニズムをデバイスシミュレーションにより解析した. バンド端準位を考慮し，ドレイン電流における拡散成分とドリフト成分の支配性に着目した結果，極低温では一般にサブスレッショルドとされる電圧領域においてもドリフト成分が支配的であることが分かった. そのため，極低温におけるSSはドリフト成分の特性により決定され，そのゲート長依存性を反映してSSがゲート長に依存することが示された. また，バンド端準位の影響が，サブスレッショルド電流領域におけるドリフト成分の支配率に大きく影響することの重要性も示した. |
| （英） |
We experimentally found the gate-length dependence of the subthreshold swing (SS) in long-channel n- and p- MOSFETs at cryogenic temperatures and investigated its mechanism using device simulations. Considering the band-edge states and focusing on the dominance of the drift and diffusion current components in the drain current, we found that the drift component highly dominates the current even within the subthreshold current range at cryogenic temperatures. Therefore, the subthreshold swing depends on the gate length due to the gate-length dependence of the drift component. We also highlight the importance of the effect of the band-edge states, which significantly impacts the dominance ratio of the drift component in the subthreshold current range. |
| キーワード |
（和） |
cryo-CMOS / MOSFET / サブスレッショルドスイング / バンド端準位 / / / / |
| （英） |
cryo-CMOS / MOSFET / subthreshold swing / band-edge states / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
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