| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2026-08-06 10:00
［招待講演］超高密度3次元フラッシュメモリに向けた多層セルアレイCBA技術
○野田光彦・橋本 晋・水元隆太・渡邉 守・澤田元気・川崎貫太・園田真久・神谷栄二・諸岡 哲・中塚圭祐・前嶋 洋・小林茂樹・鈴木慎二（キオクシア）・迫坪行広・大澤康平・佐藤慎弥・柴崎禎二・八重樫政博・本間亮一（サンディスク）・田上政由・関根克行（キオクシア） |
| 抄録 |
（和） |
本報告は2026 Symposium on VLSI Technology and Circuitsでの講演に基づき、超高密度3次元フラッシュメモリに向けたmulti-stacked cell array CMOS directly bonded to array（MSA-CBA）技術を紹介する。ワードライン積層数の増加に伴い、セル電流低下、ウエハ反り増大、およびブロックサイズ拡大が課題となる。MSA-CBAは、複数のセルアレイウエハをCMOSウエハ上にウエハ間Cu直接接合により積層することで、各セルアレイウエハ当たりのワードライン積層数を抑制し、これらの課題の同時解決を可能にする。本報告では、先端平坦化およびアライメント補正技術により実現された多層セルアレイウエハの高信頼接合と、多層セルアレイ構造におけるQuad-Level Cell（QLC）動作の世界初実証について述べる。これらの結果は、MSA-CBAが1000層超の次世代3次元フラッシュメモリに対して極めて有望なアーキテクチャであることを示す。 |
| （英） |
This paper introduces multi-stacked cell array CMOS directly bonded to array (MSA-CBA) technology for ultra-high-density 3D flash memory, based on a presentation at the 2026 Symposium on VLSI Technology and Circuits [1]. To achieve higher density by stacking more word line (WL) layers, challenges such as reduced cell current, increased wafer warpage, and larger block (BLK) size must be resolved. MSA-CBA addresses these issues by stacking multiple cell array wafers on a CMOS wafer using wafer-to-wafer Cu direct bonding, thereby reducing the number of stacked word lines per wafer. This paper also presents highly reliable bonding enabled by advanced planarization and alignment correction technologies, as well as the world’s first demonstration of Quad-Level Cell (QLC) operation in a multi-stacked cell array structure. These results demonstrate that MSA-CBA is a promising architecture for 3D flash memory with over 1,000 stacked word lines. |
| キーワード |
（和） |
3次元フラッシュメモリ / MSA-CBA / ウエハ間Cu直接接合 / QLC / / / / |
| （英） |
3D Flash Memory / MSA-CBA / Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding / QLC / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報 |
| 資料番号 |
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| 発行日 |
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| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
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