| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2026-09-25 13:05
誘電吸収に起因する残像を低減した単一露光ダイナミックレンジ 137 dB CMOSイメージセンサ
○越河英一郎・山中貴哉・矢幡 健・林田光揮・大橋拓斗・松本 啓・青木真実・吉田晴之・渡部恵介（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・清藤康朗・権藤 聡（ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング）・坂野頼人・大池祐輔（ソニーセミコンダクタソリューションズ） |
| 抄録 |
（和） |
本論文では、画素ピッチ3.0 μmの2897×1877 CMOSイメージセンサを提案する。本センサは、85 ℃において137 dBの単一露光ダイナミックレンジ（SEDR）と、105 ℃において28 dBのつなぎSNRを達成する。提案センサは、3D-MIM技術を用いたサブピクセルアーキテクチャを採用し、誘電吸収に起因する残像を低減する機能を備える。高ダイナミックレンジと誘電吸収による残像低減の組合せにより、車載センシング用途に適したイメージセンサを提案する。 |
| （英） |
This paper presents a 2897×1877 CMOS image sensor with a 3.0 μm pixel pitch. The proposed sensor achieves a 137 dB single-exposure dynamic range (SEDR) at 85 °C and a 28 dB junction SNR at 105 °C. The sensor employs a sub-pixel architecture with 3D-MIM technology and includes a function to reduce the dielectric-absorption image lag. The combination of high dynamic range and reduced dielectric-absorption image lag makes the sensor well-suited for automotive applications. |
| キーワード |
（和） |
CMOSイメージセンサ / 誘電吸収 / 残像 / 高ダイナミックレンジ / / / / |
| （英） |
CMOS image sensor / dielectric absorption / image lag / High Dynamic Range / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 50, no. 28, IST2026-38, pp. 1-4, 2026年9月. |
| 資料番号 |
IST2026-38 |
| 発行日 |
2026-09-18 (IST) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
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