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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IST 2023-09-15
15:10
東京 機械振興会館 (東京都, オンライン)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
A 3.06 μm SPAD Pixel with Embedded Metal Contact and Power Grid on Deep Trench Pixel Isolation for High-resolution Photon-counting
Tatsuya NakataJun OgiFumiaki SanoYoshiki KuboWataru OnishiCharith KoswaththagheTakeya MochizukiYoshiaki TashiroKazuki HizuTakafumi TakatsukaFumihiko KogaTomoyuki HiranoYusuke OikeSSS
This paper presents a 3.06-μm-pitch SPAD pixel with the embe... [more] IST2023-44
pp.37-40
IST 2021-03-26
14:10
東京 オンライン開催 (東京都) サブフレーム外挿法によりモーションアーティファクト低減と250fps・D-レンジ124dBを実現した画素並列積層SPAD型イメージセンサ
比津和樹小木 純高塚挙文稲岡 豊朱 弘博栃木靖久田代睦聡佐野文昭ソニーセミコンダクタソリューションズ)・村川祐亮中村 誠ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング)・大池祐輔ソニーセミコンダクタソリューションズ
 [more] IST2021-17
pp.39-42
IST 2018-03-09
13:50
東京 NHK 放送技術研究所講堂 (東京都) 大型・低ノイズのイメージャ画素を用いたCMOSフォトンディテクタ
西原利幸松村正雄井本 努奥村健市坂野頼人寄門雄飛田代睦聡若林隼人大池祐輔新田嘉一ソニーセミコンダクタソリューションズ
医療やライフサイエンスへの応用に向けて、CMOSイメージャ技術を転用した非増倍フォトンディテクタのプロトタイプを試作した... [more] IST2018-19
pp.35-38
IST 2017-09-25
16:25
東京 機械振興会館 (東京都) 画素内埋め込み保持部と横型オーバーフロー蓄積容量を用いた224ke-飽和電荷数を有する3.875um□グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
酒井 伸坂野頼人田代睦聡加藤祐理秋山健太郎本田勝巳佐藤 守榊原雅樹田浦忠行浅見健司平野智之大池祐輔十河康則江崎孝之奈良部忠邦平山照峰ソニーセミコンダクタソリューションズ)・須川成利東北大
 [more] IST2017-59
pp.43-46
IST, CE
(共催)
2010-03-26
16:35
東京 機械振興会館 (東京都) LOFIC CMOSイメージセンサの画素縮小化技術
酒井 伸田代睦聡川田 峻須川成利東北大
一画素ごとに高S/N比と高飽和信号量を同時に確保することを前提としたイメージセンサにおいて,円開口レンズしぼりによる原理... [more] IST2010-21 CE2010-30
pp.59-62
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