映像情報メディア学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2016-08-03 14:40
ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET
吉田貴大井田次郎堀井隆史金沢工大)・沖原将生ラピス)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構
抄録 (和) PN-Body Tied SOI FETのBody Tied部のN層の濃度を濃いN+層から薄いN-層に見直すことで、ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なサブスレッショルド特性(Subthreshold Slope :SS)が出ることを確認した.また,シミュレーションでもN層濃度の違いにより急峻なSS特性が出るボディ電圧の差を再現できた。さらに、シミュレーション解析によりN+層、N-層を使う場合、急峻なSS特性を発生させるには、最適な幅があることが分かった. 
(英) We have found out that the super steep Subthreshold Slope (SS) of the PN-body tied SOI FET appeared with the body voltage of below 1V. and the drain voltage of 0.1V when the N layer of the body tied region changes from the N+ to the N- . Device simulations reproduced the difference of the necessity body voltage on appearance of the super steep SS between the N+ and the N-. In addition, results of simulation show the optimized width of N layer with both the N+ and the N-.
キーワード (和) SS / SOI MOSFET / BIP / / / / /  
(英) SS / SOI MOSFET / BIP / / / / /  
文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN  
PDFダウンロード

研究会情報
研究会 IEICE-ICD IEICE-SDM IST  
開催期間 2016-08-01 - 2016-08-03 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-SDM 
会議コード 2016-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ボディ電圧1V以下ドレイン電圧0.1Vで急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FET 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) PN-Body Tied Super Steep SS FET with Body Bias below 1V and Drain Bias 0.1V 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SS / SS  
キーワード(2)(和/英) SOI MOSFET / SOI MOSFET  
キーワード(3)(和/英) BIP / BIP  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 貴大 / Takahiro Yoshida / ヨシダ タカヒロ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀井 隆史 / Takashi Horii / ホリイ タカシ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 沖原 将生 / Masao Okihara / オキハラ マサオ
第4著者 所属(和/英) ラピスセミコンダクタ (略称: ラピス)
LAPIS Semiconductor (略称: Lapis)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 康夫 / Yasuo Arai / アライ ヤスオ
第5著者 所属(和/英) 高エネルギー加速器研究機構 (略称: 高エネルギー加速器研究機構)
High Energy Accelerator Research Organization (略称: KEK)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2016-08-03 14:40:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 IEICE-SDM 
資料番号  
巻番号(vol) vol.40 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数  
発行日  


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[映像情報メディア学会ホームページ]


ITE / 映像情報メディア学会