線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき

水谷,朋子; 竹内,潔; 鈴木,龍太; 更屋,拓哉; 小林,正治; 平本,俊郎

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講演名		2016-08-03 15:05 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき ○水谷朋子・竹内　潔・鈴木龍太・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）
抄録	（和）	超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し，統計解析を行った．線幅が2nmまで減少すると，DIBLばらつきおよびデバイス内ばらつきは急激に増大する．このばらつきの増大は，ソース／ドレイン間のナノワイヤ幅の非対称性に起因する量子閉じ込め効果によると考えられる．
	（英）	The effects of drain voltage in threshold voltage variability in extremely narrow silicon nanowire (NW) channel FETs are measured and statistically analyzed. It was found that the drain-induced variability and “within-device” variability increase as the NW width decreases to 2nm. The origin of the increased variability is ascribed to quantum confinement due to NW width asymmetry at the source and drain.
キーワード	（和）	ナノワイヤトランジスタ / ばらつき / DIBL / / / / /
	（英）	Nanowire MOSFET / Variability / DIBL / / / / /
文献情報		映情学技報
資料番号
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研究会情報
研究会	IEICE-ICD IEICE-SDM IST
開催期間	2016-08-01 - 2016-08-03
開催地（和）	中央電気倶楽部
開催地（英）	Central Electric Club
テーマ（和）	アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ（英）	Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications
講演論文情報の詳細
申込み研究会	IEICE-SDM
会議コード	2016-08-ICD-SDM-IST
本文の言語	日本語
タイトル（和）	線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Increased Drain-Induced Variability and Within-Device Variability in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Width down to 2nm
サブタイトル（英）
キーワード(1)（和/英）	ナノワイヤトランジスタ / Nanowire MOSFET
キーワード(2)（和/英）	ばらつき / Variability
キーワード(3)（和/英）	DIBL / DIBL
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第1著者氏名（和/英/ヨミ）	水谷朋子 / Tomoko Mizutani / ミズタニトモコ
第1著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第2著者氏名（和/英/ヨミ）	竹内潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチキヨシ
第2著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第3著者氏名（和/英/ヨミ）	鈴木龍太 / Ryota Suzuki / ズズキリョウタ
第3著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第4著者氏名（和/英/ヨミ）	更屋拓哉 / Takuya Saraya / サラヤタクヤ
第4著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第5著者氏名（和/英/ヨミ）	小林正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシマサハル
第5著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
第6著者氏名（和/英/ヨミ）	平本俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモトトシロウ
第6著者所属（和/英）	東京大学 (略称：東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo)
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講演者	第1著者
発表日時	2016-08-03 15:05:00
発表時間	25分
申込先研究会	IEICE-SDM
資料番号
巻番号（vol）	vol.40
号番号（no）
ページ範囲
ページ数
発行日

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