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講演抄録/キーワード
講演名 2016-08-03 14:15
SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証
小笠原泰弘小池帆平産総研
抄録 (和) 本論文ではSOTB (Silicon On Thin-Buried oxide) トランジスタの特徴であるバックゲートによる柔軟な閾値制御と,ドーパントレスチャネルによる低ばらつきが集積回路の超低電圧動作に与える効果について定量的な調査を行う.PTM (Predictive Transistor Model) 22nm モデルを用いたシミュレーションによる検証の結果,SOTB の柔軟な閾値制御により,超低電圧動作はセンサノードのような超低速用途だけでなく,一般的なSoC のような通常速度の用途にも応用可能になることを示した.さらに,低ばらつきについては,超低電圧動作で良好な電力効率を得る点において,従来重要視されてきたSS (Subthreshold Slope) の改善と同等の重要性を持つことを示した. 
(英) This paper discusses impacts of flexible Vth control, low process variability, and steep SS with small on-current of new structure devices on ultra-low voltage circuits. Our simulation results based on PTM 22nm model clarify applicability of ultra-low voltage operation to a nominal speed common SoC designs by an introduction of Vth control as well as low power sensor nodes. We also reveal requirement of process variability suppression for high energy efficiency with steep SS transistors.
キーワード (和) プロセスばらつき / バックゲートバイアス / 超定電圧回路 / 電力効率 / / / /  
(英) process variability / adaptive body bias / ultra-low voltage circuits / energy efficiency / / / /  
文献情報 映情学技報
資料番号  
発行日  
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IEICE-ICD IEICE-SDM IST  
開催期間 2016-08-01 - 2016-08-03 
開催地(和) 中央電気倶楽部 
開催地(英) Central Electric Club 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IEICE-ICD 
会議コード 2016-08-ICD-SDM-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOTBトランジスタの柔軟な閾値制御と低ばらつきが超低電圧動作に与える効果の定量的検証 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Impacts of Flexible V_th control and Low Process Variability of SOTB to Ultra-low Voltage Designs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) プロセスばらつき / process variability  
キーワード(2)(和/英) バックゲートバイアス / adaptive body bias  
キーワード(3)(和/英) 超定電圧回路 / ultra-low voltage circuits  
キーワード(4)(和/英) 電力効率 / energy efficiency  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小笠原 泰弘 / Yasuhiro Ogasahara / オガサハラ ヤスヒロ
第1著者 所属(和/英) 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小池 帆平 / Hanpei Koike / コイケ ハンペイ
第2著者 所属(和/英) 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2016-08-03 14:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IEICE-ICD 
資料番号  
巻番号(vol) ITE-40 
号番号(no)  
ページ範囲  
ページ数 ITE- 
発行日  


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