| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2018-06-27 13:10
［ポスター講演］高紫外光感度・高飽和CMOSイメージセンサを用いたサブppmオーダのオゾン水対流のイメージング
○村田真麻・藤原康行・青柳雄介・黒田理人・須川成利（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
高紫外光感度・高飽和性能を有するCMOSイメージセンサを用いた紫外光吸光イメージングについて述べる．Si表面近傍に急峻なドーピングプロファイルをもつ高紫外光感度フォトダイオードを有し，高飽和を実現する1pFのLOFICを各画素に搭載したCMOSイメージセンサを開発した．設計，試作したイメージセンサが190-1000nmの広光波長帯域と8Me-の飽和電荷量，飽和近傍で約68dBのSNR (Signal to Noise Ratio) を有することを確認した．本イメージセンサを用い，光波長254nmの紫外光を照射し，サブppmオーダのオゾン水が超純水中を拡散・対流する様子をリアルタイムに撮影することに成功した． |
| （英） |
This paper reports ultraviolet (UV) light spectral absorption imaging technology using a high UV light sensitivity and high saturation CMOS image sensor. The developed CMOS image sensor has photodiodes with surface high concentration layer with steep dopant profile for a high UV light sensitivity and 1pF Lateral Overflow Integration Capacitor (LOFIC) in each pixel for a high saturation. It has been designed, fabricated and tested. It exhibited a spectral response to a wide light waveband of 190-1000nm, a full well capacity of 8Me- and 68dB SNR around saturation. Using the image sensor, sub-ppm order ozonated water diffusion and convention in ultrapure water are visualized under 254nm ultraviolet light. |
| キーワード |
（和） |
分光イメージング / 吸光分析 / 紫外光 / オゾン水 / 飽和電荷量 / CMOSイメージセンサ / / |
| （英） |
Spectral imaging / Absorption analysis / Ultraviolet light / Ozonated water / Full well capacity / CMOS image sensor / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 42, no. 19, IST2018-34, pp. 13-16, 2018年6月. |
| 資料番号 |
IST2018-34 |
| 発行日 |
2018-06-20 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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