| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2021-10-21 10:50
大判12µm画素と高解像度2.8µm画素の高精度近接容量CMOSイメージセンサ
○須釜侑希・渡部吉祥・黒田理人・山本将大・後藤哲也（東北大）・安田俊朗・村上真一・羽森 寛（オー・エイチ・ティー）・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ）・須川成利（東北大） |
| 抄録 |
（和） |
本稿では，新たに開発した2つの高精度近接容量CMOS イメージセンサ，12 µmピッチ画素で1.68 $cm^2$の撮像面積を持つ大判のチップAと，2.8 µmピッチ画素で180万画素の高解像度なチップBについて報告する．これらのチップは，入力電圧20 Vで100 zF（$10^{-19}$ F）以下，300 Vで10 zF（$10^{-20}$ F）以下の容量検出精度を達成した．さらに，複数の入力パルス振幅を用いることで，最大120 dBのダイナミックレンジを達成した．作製したチップによる近接容量イメージングの撮影例も紹介する． |
| （英） |
This paper presents newly developed two high-precision CMOS proximity capacitance image sensors: Chip A with 12 µm pitch pixels with a large detection area of 1.68 $cm^2$; Chip B with 2.8 µm pitch 1.8 M pixels for a higher resolution. Both fabricated chips achieved a capacitance detection precision of less than 100 zF ($10^{-19}$ F) at an input voltage of 20 V and less than 10 zF ($10^{-20}$ F) at 300 V due to the noise cancelling technique. Furthermore, by using multiple input pulse amplitudes, a capacitance detection dynamic range of 120 dB was achieved. The examples of capacitance imaging using the fabricated chips are also demonstrated. |
| キーワード |
（和） |
CMOS / 近接容量 / イメージセンサ / 高精度 / 大判 / 高解像度 / / |
| （英） |
CMOS / Proximity Capacitance / Image Sensor / High Precision / Large Format / High Resolution / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 45, no. 30, IST2021-51, pp. 13-16, 2021年10月. |
| 資料番号 |
IST2021-51 |
| 発行日 |
2021-10-14 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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