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講演抄録/キーワード
講演名 2021-10-21 13:40
A 3-Tap Global Shutter 5.0um Pixel with Background Canceling for 165MHz Modulated Pulsed Indirect Time-of-Flight Image Sensor
筒井将史横山敏史小川貴久水野郁夫高橋信義タワー パートナーズ セミコンダクター)・Cheng MaGpixel INC)・Fei WangOrbbec Shenzhen)・Joris DebondtJan BogaertsGpixel NV)・Xinyang WangGpixel INC)・Assaf LahavTower Semiconductor
抄録 (和) 背景光除去のために3つのタップを有するパルス方式indirect time-of-flight向け5.0umイメージセンサ画素を開発した。2.5umピッチのハイブリッドボンディングによりセンサーウェハとロジックウェハを3Dスタッキングした。4um深さの裏面deep trench isolationにより各タップへの寄生光感度を抑制し、6um厚のセンサーウェハにより波長940nmにおける量子感度を向上した。高周波数変調光に対して高速応答を実現するために、各タップへの転送経路は非対称に設計し転送経路長さを最小化した。165MHzに変調入射光に対して81%のdemodulation contrastを達成した。 
(英) 3-tap global shutter 5.0um pixel with background canceling for pulsed indirect time-of-flight image sensor has been developed. 2.5um-pitch hybrid bonding is used for stacking sensor and logic wafers. Parasitic light sensitivity of taps is suppressed by 4um-depth backside deep trench isolation, and 6um-thick-epi is used to enhance QE at 940nm wavelength. To enhance pixel response for high modulation frequency of pulsed light, transfer path to each taps is designed to have asymmetric path to minimize transfer length, and electric field in photodiode is carefully designed along vertical and lateral transfer directions. Demodulation contrast of 81% at 165MHz without background canceling is achieved.
キーワード (和) 3D測距 / indirect time-of-flight / マルチタップ / CMOSイメージセンサ / / / /  
(英) depth sensing / indirect time-of-flight / multi-tap / CMOS image sensor / / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 45, no. 30, IST2021-56, pp. 33-36, 2021年10月.
資料番号 IST2021-56 
発行日 2021-10-14 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST  
開催期間 2021-10-21 - 2021-10-21 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英)  
テーマ(和) イメージセンサおよび一般 
テーマ(英) Image Sensor , etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2021-10-IST 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) A 3-Tap Global Shutter 5.0um Pixel with Background Canceling for 165MHz Modulated Pulsed Indirect Time-of-Flight Image Sensor 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 3-Tap Global Shutter 5.0um Pixel with Background Canceling for 165MHz Modulated Pulsed Indirect Time-of-Flight Image Sensor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 3D測距 / depth sensing  
キーワード(2)(和/英) indirect time-of-flight / indirect time-of-flight  
キーワード(3)(和/英) マルチタップ / multi-tap  
キーワード(4)(和/英) CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 将史 / Masafumi Tsutsui / ツツイ マサフミ
第1著者 所属(和/英) タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 (略称: タワー パートナーズ セミコンダクター)
Tower Partners Semiconductor Co. Ltd. (略称: TPSCo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 敏史 / Toshifumi Yokoyama / ヨコヤマ トシフミ
第2著者 所属(和/英) タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 (略称: タワー パートナーズ セミコンダクター)
Tower Partners Semiconductor Co. Ltd. (略称: TPSCo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 貴久 / Takahisa Ogawa / オガワ タカヒサ
第3著者 所属(和/英) タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 (略称: タワー パートナーズ セミコンダクター)
Tower Partners Semiconductor Co. Ltd. (略称: TPSCo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 水野 郁夫 / Ikuo Mizuno / ミズノ イクオ
第4著者 所属(和/英) タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 (略称: タワー パートナーズ セミコンダクター)
Tower Partners Semiconductor Co. Ltd. (略称: TPSCo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 信義 / Nobuyoshi Takahashi / タカハシ ノブヨシ
第5著者 所属(和/英) タワー パートナーズ セミコンダクター株式会社 (略称: タワー パートナーズ セミコンダクター)
Tower Partners Semiconductor Co. Ltd. (略称: TPSCo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Cheng Ma / Cheng Ma / Cheng Ma
第6著者 所属(和/英) Gpixel INC (略称: Gpixel INC)
Gpixel INC (略称: Gpixel INC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Fei Wang / Fei Wang / Fei Wang
第7著者 所属(和/英) Orbbec Shenzhen (略称: Orbbec Shenzhen)
Orbbec Shenzhen (略称: Orbbec Shenzhen)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) Joris Debondt / Joris Debondt / Joris Debondt
第8著者 所属(和/英) Gpixel NV (略称: Gpixel NV)
Gpixel NV (略称: Gpixel NV)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) Jan Bogaerts / Jan Bogaerts / Jan Bogaerts
第9著者 所属(和/英) Gpixel NV (略称: Gpixel NV)
Gpixel NV (略称: Gpixel NV)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) Xinyang Wang / Xinyang Wang / Xinyang Wang
第10著者 所属(和/英) Gpixel INC (略称: Gpixel INC)
Gpixel INC (略称: Gpixel INC)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) Assaf Lahav / Assaf Lahav / Assaf Lahav
第11著者 所属(和/英) Tower Semiconductor (略称: Tower Semiconductor)
Tower Semiconductor (略称: Tower Semiconductor)
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講演者
発表日時 2021-10-21 13:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2021-56 
巻番号(vol) ITE-45 
号番号(no) no.30 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IST-2021-10-14 


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