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講演抄録/キーワード
講演名 2022-03-28 09:30
SOIウェハのハイブリッド接合を用いた3層積層画素並列CMOSイメージセンサ
後藤正英本田悠葵難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治東大)・日暮栄治産総研)・年吉 洋平本俊郎東大
抄録 (和) 超高精細と高フレームレートを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの研究を進めている.今回,SiO2層間絶縁膜にAu電極を埋め込んだ3枚のSOIウェハをハイブリッド接合する技術を開発した.SOIウェハのハンドル層を除去して,裏面にAu電極を形成することで,表面どうし(face-to-face)の接合と同様に,表面対裏面(face-to-back)の接合が可能となり,画素単位で信号を伝達する多層構造が作製できる.画素並列で入射光量に対応したパルスを発生してA/D変換するイメージセンサを試作した結果,16ビットのA/D変換動作や,QQVGAフォーマットの動画像出力を確認することができ,3層積層で画素並列信号処理を行うイメージセンサの動作実証に初めて成功した. 
(英) We report 3-layer stacked pixel-parallel CMOS image sensors developed for the first time. The hybrid bonding of silicon-on-insulator (SOI) wafers through embedded Au electrodes in the SiO2 insulators on the front and back sides realizes both face-to-face and face-to-back bonding, realizing a multi-layer stacked device. A 3-layered pixel circuit is developed to confirm the linear response of 16-bit digital signal output. A prototype sensor with 160 × 120 pixels successfully captures video images, demonstrating the feasibility of multi-layered sensors of high performance as well as multi-functions including signal processing, memory, and computing for applications such as high-quality video cameras, measurements, recognition, robots, and various IoT devices.
キーワード (和) CMOSイメージセンサ / 3次元集積化技術 / 接合 / SOI / A/D変換回路 / / /  
(英) CMOS image sensor / 3D integration / bonding / silicon-on-insulator (SOI) / A/D converter / / /  
文献情報 映情学技報, vol. 46, no. 14, IST2022-11, pp. 5-8, 2022年3月.
資料番号 IST2022-11 
発行日 2022-03-21 (IST) 
ISSN Print edition: ISSN 1342-6893  Online edition: ISSN 2424-1970
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研究会情報
研究会 IST  
開催期間 2022-03-28 - 2022-03-28 
開催地(和) オンライン開催 
開催地(英)  
テーマ(和) 固体撮像技術および一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 IST 
会議コード 2022-03-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) SOIウェハのハイブリッド接合を用いた3層積層画素並列CMOSイメージセンサ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 3-Layer Stacked Pixel-Parallel CMOS Image Sensors Using Hybrid Bonding of SOI Wafers 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor  
キーワード(2)(和/英) 3次元集積化技術 / 3D integration  
キーワード(3)(和/英) 接合 / bonding  
キーワード(4)(和/英) SOI / silicon-on-insulator (SOI)  
キーワード(5)(和/英) A/D変換回路 / A/D converter  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 正英 / Masahide Goto / ゴトウ マサヒデ
第1著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称: NHK)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 悠葵 / Yuki Honda / ホンダ ユウキ
第2著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称: NHK)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 難波 正和 / Masakazu Nanba / ナンバ マサカズ
第3著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称: NHK)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井口 義則 / Yoshinori Iguchi / イグチ ヨシノリ
第4著者 所属(和/英) NHK放送技術研究所 (略称: NHK)
NHK Science & Technology Research Laboratories (略称: NHK)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 日暮 栄治 / Eiji Higurashi / ヒグラシ エイジ
第7著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 年吉 洋 / Hiroshi Toshiyoshi / トシヨシ ヒロシ
第8著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第9著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: The Univ. of Tokyo)
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講演者
発表日時 2022-03-28 09:30:00 
発表時間 25 
申込先研究会 IST 
資料番号 ITE-IST2022-11 
巻番号(vol) ITE-46 
号番号(no) no.14 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数 ITE-4 
発行日 ITE-IST-2022-03-21 


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