| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2022-03-28 11:10
縦型転送ゲートの電荷転送解析シミュレーションと高速イメージセンサへの応用
○武藤秀樹（リンク・リサーチ） |
| 抄録 |
（和） |
CMOSイメージセンサの縦型転送ゲートのシミュレーションについて報告する．シミュレーションに先立ち，斜め方向の物質界面を扱えるようにデバイス・シミュレータSPECTRAの改良を行った．縦型転送ゲートの構造として，フォトダイオードの最大電位を与える点と同じ深さにフローティング・ディフュージョンを深く形成することが転送時間を短くするために有効であることが判った．画素サイズを縮小し，一つのフォトダイオードに対して複数の縦型転送ゲートとフローティング・ディフュージョンを同心円上に配置することにより，高感度高解像度の超高速イメージセンサの実現が期待される． |
| （英） |
The analysis of charge transfer characteristics for CMOS image sensors with vertical transfer gates by 3D device simulation is reported. The 3D device simulator SPECTRA was improved to treat oblique boundary of different materials before the analysis. It was found that it is effective for high charge transfer efficiency to fabricate the floating diffusion at the same depth as the maximum potential point of the photodiode. It is expected to realize an ultra-high speed image sensor with high sensitivity and high resolution by reducing the pixel size and arranging plural vertical transfer gates and floating diffusions around a photodiode. |
| キーワード |
（和） |
縦型転送ゲート / 高速イメージセンサ / デバイス・シミュレーション / VTG / / / / |
| （英） |
Vertical Transfer Gate / High-Speed Image Sensor / Device Simulation / VTG / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 46, no. 14, IST2022-14, pp. 17-20, 2022年3月. |
| 資料番号 |
IST2022-14 |
| 発行日 |
2022-03-21 (IST) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970 |
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