| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2025-10-16 16:15
反応性パルスDCスパッタリング法によるBiFeO3系強磁性・強誘電薄膜の高品位作製
○吉村 哲・Swati S. DAS・江川元太（秋田大） |
| 抄録 |
（和） |
パルスDC反応性スパッタリング法は，複雑な結晶構造をとることが多い酸化物磁性薄膜を，低い酸素分圧かつ速い成膜速度で高品質に作製するのに有用である．この方法で作製したBiFeO3系強磁性・強誘電薄膜において置換元素を種々変化させて最適化した結果，優れた磁気特性を持つ薄膜を実現するとともに，サブミクロンスケールの電界印加による磁化反転を実証することに成功し，電界駆動型の高集積・低消費電力磁気デバイスへの応用の可能性を示した．しかし，この成膜方法におけるスパッタリングターゲットには，結晶性に優れた薄膜を作製するために，可能な限り高い導電性を付与する方法を考慮することが必須であり，一方で優れた絶縁性を有する薄膜を作製するために，高い導電性を維持しながらターゲット中の酸素含有量を高める方法を考慮することが有用である．これらが考慮された適切に設計したターゲットと反応性パルスDCスパッタリング法を用いることで，特徴的な特性と高い機能性を有する様々な酸化物磁性薄膜を高品質かつ容易に作製することが期待できる． |
| （英） |
The pulsed DC reactive sputtering method is useful for fabricating high-quality oxide magnetic thin films, which often have complex crystal structures, at low oxygen partial pressures and high deposition rates. As a result of investigating the substitution elements in BiFeO3-based thin films fabricated using this method, we succeeded in realizing ferromagnetic and ferroelectric thin films with excellent magnetic properties, and we also succeeded in demonstrating magnetization switching by applying an electric field at the submicron scale, indicating the possibility of application to highly integrated and low-power magnetic devices driven by an electric field. However, it is essential to devise a method for giving the sputtering target in this film fabrication method as high an electrical conductivity as possible, and if one wishes to fabricate thin films with an excellent insulating property, it is also necessary to devise a method for increasing the oxygen content in the target while maintaining a high electrical conductivity. By using an appropriate target and the pulsed DC reactive sputtering method, various oxide magnetic thin films with characteristic properties and high functionalities can be easily fabricated with high quality, and as a result, high-performance spintronics devices will be implemented in society. |
| キーワード |
（和） |
反応性パルスDCスパッタリング / 酸化物磁性薄膜 / 電界印加磁化反転 / スパッタリングターゲット / / / / |
| （英） |
pulsed DC reactive sputtering / oxide magnetic thin films / magnetization switching by applying an electric field / sputtering target / / / / |
| 文献情報 |
映情学技報, vol. 49, no. 28, MMS2025-43, pp. 4-9, 2025年10月. |
| 資料番号 |
MMS2025-43 |
| 発行日 |
2025-10-09 (MMS) |
| ISSN |
Online edition: ISSN 2424-1970 |
| PDFダウンロード |
|
| 研究会情報 |
| 研究会 |
IEICE-MRIS IEICE-CPM MMS |
| 開催期間 |
2025-10-16 - 2025-10-17 |
| 開催地（和） |
豊橋技術科学大学（サテライト・オフィス） |
| 開催地（英） |
Toyohashi-Gika Univ. |
| テーマ（和） |
スピントロニクス・固体メモリ・機能性材料・薄膜プロセス・材料・デバイス＋一般 |
| テーマ（英） |
Spintronics, Solid State Memory, Functional material, Thin film process, Material, Devices, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
MMS |
| 会議コード |
2025-10-MRIS-CPM-MMS |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
反応性パルスDCスパッタリング法によるBiFeO3系強磁性・強誘電薄膜の高品位作製 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Fabrication of high-quality BiFeO3-based ferromagnetic and ferroelectric thin films by pulsed DC reactive sputtering method |
| サブタイトル（英） |
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| キーワード(1)（和/英） |
反応性パルスDCスパッタリング / pulsed DC reactive sputtering |
| キーワード(2)（和/英） |
酸化物磁性薄膜 / oxide magnetic thin films |
| キーワード(3)（和/英） |
電界印加磁化反転 / magnetization switching by applying an electric field |
| キーワード(4)（和/英） |
スパッタリングターゲット / sputtering target |
| キーワード(5)（和/英） |
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| キーワード(6)（和/英） |
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| キーワード(7)（和/英） |
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| キーワード(8)（和/英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
吉村 哲 / Satoru Yoshimura / ヨシムラ サトル |
| 第1著者 所属（和/英） |
秋田大学 (略称： 秋田大)
Akita University (略称： Akita Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
Swati S. DAS / Swati S. DAS / スワティ S. ダス |
| 第2著者 所属（和/英） |
秋田大学 (略称： 秋田大)
Akita University (略称： Akita Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） |
江川 元太 / Genta Egawa / エガワ ゲンタ |
| 第3著者 所属（和/英） |
秋田大学 (略称： 秋田大)
Akita University (略称： Akita Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2025-10-16 16:15:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
MMS |
| 資料番号 |
MMS2025-43 |
| 巻番号（vol） |
vol.49 |
| 号番号（no） |
no.28 |
| ページ範囲 |
pp.4-9 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2025-10-09 (MMS) |
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