研究会開催プログラム - 2018-08-IST-IEICE-ICD-IEICE-SDM

お知らせ ◆映像情報メディア学会における研究会の開催について（新型コロナウイルス関連）2021年7月21日更新

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情報センシング研究会（IST）

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委員長		浜本隆之 (東京理科大)
副委員長		大竹浩 (NHK)，秋田純一 (金沢大)
担当幹事		池辺将之 (北海道大)

シリコン材料・デバイス研究会（IEICE-SDM）

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専門委員長		品田高宏 (東北大)
副委員長		平野博茂 (パナソニック・タワージャズ)
幹事		池田浩也 (静岡大)，諸岡哲 (東芝メモリー)
幹事補佐		森貴洋 (産総研)，小林伸彰 (日大)

集積回路研究会（IEICE-ICD）

[schedule] [select]

専門委員長		日高秀人 (ルネサスエレクトロニクス)
副委員長		永田真 (神戸大)
幹事		橋本隆 (パナソニック)，夏井雅典 (東北大)
幹事補佐		伊藤浩之 (東工大)，柘植政利 (ソシオネクスト)，廣瀬哲也 (神戸大)

日時	2018年 8月 7日(火)　09:00 - 17:10 2018年 8月 8日(水)　09:00 - 17:40 2018年 8月 9日(木)　09:30 - 15:20
議題	アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
会場名	北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151講義室
住所	〒060-0814 札幌市北区北14条西9丁目
交通案内	地下鉄北18条駅から徒歩15分またはJR札幌駅より徒歩20分 http://www.ist.hokudai.ac.jp/access/
他の共催	◆応用物理学会；IEEE SSCS Japan Chapter；IEEE SSCS Kansai Chapter共催
お知らせ	◎8/8(水)パネルディスカッション終了後，懇親会を開催いたします．是非御参加ください．日時：8月8日(水) 18：00～20：00(予定) 後日，詳細をご案内します．

8月7日(火) 午前 09:00 - 10:35
(1) IST	09:00-09:25	前庭動眼反射を考慮した初期聴覚モデルの考察と回路評価	○池上高広・池辺将之・高前田伸也・本村真人・浅井哲也（北大）
(2) IST	09:25-09:50	テラヘルツイメージング用CMOSピクセル回路の広帯域化	○金澤悠里・平松正太・佐野栄一・横山紗友里・池辺将之（北大）
(3) IST	09:50-10:35	［招待講演］ナノプローブテクノロジーを利用したセンシング技術と応用	○末岡和久（北大）
	10:35-10:45	休憩　（ 10分）
8月7日(火) 午前 10:45 - 11:55
(4) IEICE-ICD	10:45-11:30	［招待講演］エネルギーハーベスティングBeat Sensorと応用の可能性～低電力、低コスト、高精度IoTセンサの提案～	○石橋孝一郎（電通大）
(5) IEICE-ICD	11:30-11:55	FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較	○山田晃大・古田　潤・小林和淑（京都工繊大）
	11:55-12:55	昼食　（ 60分）
8月7日(火) 午後 12:55 - 14:50
(6) IEICE-SDM	12:55-13:40	［招待講演］慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発	○富澤英之・久留井慶彦（東芝）・秋田一平（産総研）・藤本　明・齋藤友博・小島章弘・柴田英毅（東芝）
(7) IEICE-SDM	13:40-14:25	［招待講演］ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価	○柳　永勛（産総研）
(8) IEICE-SDM	14:25-14:50	急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験	○百瀬　駿・井田次郎・山田拓弥・森　貴之・伊東健治（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）
	14:50-15:00	休憩　（ 10分）
8月7日(火) 午後 15:00 - 15:50
(9) IEICE-ICD	15:00-15:25	0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路	○小嶋文也・原田知親（山形大）
(10) IEICE-ICD	15:25-15:50	A 65nm SOTB Based-On Code-Modulated Synchronized-OOK Transmitter for Normally-Off Wireless Sensor Networks	○Van-Trung Nguyen・Ryo Ishikawa・Koichiro Ishibashi（The UEC）
	15:50-16:00	休憩　（ 10分）
8月7日(火) 午後 16:00 - 17:10
(11) IEICE-ICD	16:00-16:45	［招待講演］電池駆動IoTデバイス向け電源監視技術	○川崎健一・長田潤一・中本裕之（富士通研）
(12) IEICE-ICD	16:45-17:10	FPGA搭載プロセッサのダイ温度からの消費電力推定	○金子博昭・金杉昭徳（東京電機大）
8月8日(水) 午前 09:00 - 10:10
(13) IEICE-SDM	09:00-09:45	［招待講演］酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向～不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用～	○島　久・高橋　慎・内藤泰久・秋永広幸（産総研）
(14) IEICE-SDM	09:45-10:10	Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs	○Shuang Gao・Tomoko Mizutani・Kiyoshi Takeuchi・Masaharu Kobayashi・Toshiro Hiramoto（Univ. Tokyo）
	10:10-10:20	休憩　（ 10分）
8月8日(水) 午前 10:20 - 11:50
(15) IEICE-SDM	10:20-11:05	［招待講演］原子／イオン移動型素子を用いたニューロモルフィック動作	○大野武雄（大分大）
(16) IST	11:05-11:50	［招待講演］結晶性酸化物半導体を用いた極低電力デバイス	○加藤　清（半導体エネルギー研）
	11:50-12:50	昼食　（ 60分）
8月8日(水) 午後 12:50 - 14:25
(17) IEICE-ICD	12:50-13:15	デジタルICチップにおける電源ノイズの評価及び解析	○地家幸佑・月岡暉裕・澤田凌兵・渡辺　航・三浦典之・永田　真（神戸大）
(18) IEICE-ICD	13:15-13:40	パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル	○石井雄一郎・田中美紀・藪内　誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二（ルネサス）・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng（ユーエムシー）
(19) IEICE-ICD	13:40-14:25	［招待講演］組合せ最適化問題に適したCMOSアニーリングマシン	○山岡雅直（日立）
	14:25-14:35	休憩　（ 10分）
8月8日(水) 午後 14:35 - 17:40
(20) IEICE-SDM	14:35-15:00	３D NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた再構成可能なシステムLSIの設計法の提案	○渡辺重佳（湘南工大）
(21) IEICE-SDM	15:00-15:25	3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路方式の研究～従来のLUT方式、平面型との比較～	○鈴木章矢・渡辺重佳（湘南工科大）
	15:25-15:40	休憩　（ 15分）
(22)	15:40-17:40	パネルディスカッション「新メモリデバイスを用いたインメモリコンピューティングの未来展望」モデレータ浅井哲也(北海道大) パネリスト山岡雅直(日立製作所)，島久(産業技術総合研究所)，大野武雄(大分大)，加藤清(半導体エネルギー研究所)，出口淳(東芝メモリ)
8月9日(木) 午前 09:30 - 11:45
(23) IEICE-ICD	09:30-10:15	［招待講演］フレキシブルデバイスを用いたセンシングシステムの開発と社会実装	○吉本秀輔（PGV Inc.）
(24) IEICE-ICD	10:15-11:00	［招待講演］容量結合方式による非接触・無拘束マルチバイタルセンシング～先端研究事例の紹介～	○植野彰規（東京電機大）
(25) IEICE-ICD	11:00-11:45	［招待講演］心拍変動解析に向けたウェアラブル生体センサの開発	○和泉慎太郎（阪大）
	11:45-12:45	昼食　（ 60分）
8月9日(木) 午後 12:45 - 13:35
(26) IEICE-ICD	12:45-13:10	10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究	○五十嵐満彦・内田優希・高沢義生・塚本康正・澁谷宏治・新居浩二（ルネサスエレクトロニクス）
(27) IEICE-ICD	13:10-13:35	12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s 高速デュアルポートTCAMの開発	○藪内　誠・森本薫夫・新居浩二・田中信二（ルネサス）
	13:35-13:45	休憩　（ 10分）
8月9日(木) 午後 13:45 - 15:20
(28) IEICE-SDM	13:45-14:10	SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果	○水谷朋子・竹内　潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎（東大）
(29) IEICE-SDM	14:10-14:35	強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計	○小林正治・多川友作・バクヒ・平本俊郎（東大生研）
(30) IEICE-SDM	14:35-15:20	［招待講演］28nm不揮発プログラマブルロジックに向けたCu原子スイッチ技術の開発	○根橋竜介・伴野直樹・宮村　信・森岡あゆ香・白　旭・岡本浩一郎・井口憲幸・沼田秀昭・波田博光・杉林直彦・阪本利司・多田宗弘（NEC）

講演時間
一般講演	発表 20 分＋質疑応答 5 分
招待講演	発表 40 分＋質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
IST	情報センシング研究会（IST） [今後の予定はこちら]
	問合先	池辺将之 (北海道大学） E-: ibeisti
IEICE-SDM	シリコン材料・デバイス研究会（IEICE-SDM） [今後の予定はこちら]
	問合先	森貴洋（産業技術総合研究所） E-: -aist 諸岡哲（東芝メモリ） E-: ba
IEICE-ICD	集積回路研究会（IEICE-ICD） [今後の予定はこちら]
	問合先	柘植政利 (ソシオネクスト) E-: gecioxt 橋本隆 (パナソニック) E-: 1967pac