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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2026-08-04
10:45
北海道 北海道大学薬学部第二講義室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
極低温MOSFET動作におけるサブレッショルド特性のゲート長依存性
○香取 匠(産総研/東京電機大)・浅井栄大・岡 博史・加藤公彦・稲葉 工・小林唯華・中山隆史(産総研)・森山悟士(東京電機大)・森 貴洋(産総研)
本研究では,極低温条件における長チャネルのn型およびp型MOSFETにおいて,サブスレッショルド特性(SS)のゲート長依... [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2024-08-06
11:00
北海道 北海道大学薬学部第二講義室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
極低温下ホットキャリア注入によるしきい値電圧異常増大の理解
○下方駿佑(慶大/産総研)・岡 博史・加藤公彦・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・森 貴洋(産総研)
本研究では、極低温下でのホットキャリアによるMOSFETの特性劣化メカニズムの理解を試みた。4 Kでのホットキャリアスト... [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
15:25
北海道 北海道大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源
○稲葉 工・岡 博史・浅井栄大・更田裕司・飯塚将太・加藤公彦・下方駿佑・福田浩一・森 貴洋(産総研)
 [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
16:10
北海道 北海道大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
追加高圧水素アニールによるSi (110)面 n-MOSFETの極低温動作の改善
○下方駿佑(慶大/産総研)・岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・加藤公彦・森 貴洋(産総研)
 [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
16:35
北海道 北海道大学
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
クライオ200nmSOIMOSFETの基板バイアス効果および履歴現象の解析
○李 龍聖・森 貴之(金沢工大)・岡 博史・森 貴洋(産総研)・井田次郎(金沢工大)
 [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:05
ONLINE オンライン開催 [招待講演]極低温動作MOSFETのクーロン散乱移動度に対するバンド端準位の影響
○岡 博史・稲葉 工・飯塚将太・浅井栄大・加藤公彦・森 貴洋(産総研)
 [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:50
ONLINE オンライン開催 極低温MOSFETにおける閾値増大現象のTCADシミュレーション解析
○浅井栄大・稲葉 工・服部淳一・福田浩一・岡 博史・森 貴洋(産総研)
 [more]
IEICE-SDM, IEICE-ICD
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2021-08-17
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]誤り訂正大規模量子コンピュータに実装可能な高速かつ低ばらつきなシリコンスピン量子ビット動作を実現する埋め込み型微小磁石の集積技術
○飯塚将太・加藤公彦・八木下淳史・浅井栄大・上田哲也・岡 博史・服部淳一・池上 努・福田浩一・森 貴洋(産総研)
 [more]
IEICE-ICD, IEICE-SDM
(共催)
IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明
○岡 博史・松川 貴・加藤公彦・飯塚将太・水林 亘・遠藤和彦・安田哲二・森 貴洋(産総研)
 [more]
IST 2018-03-09
15:10
東京 NHK 放送技術研究所講堂 裏面照射型近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上単結晶GeSnフォトダイオードアレイの開発
○岡 博史・井上慶太郎(阪大)・Thi Thuy Nguyen・黒木伸一郎(広島大)・細井卓治・志村考功・渡部平司(阪大)
近赤外帯域(2-5 um)でのイメージング/センシングは暗視装置や環境測定、生体計測など様々な分野への応用が期待されてい... [more] IST2018-22
pp.47-50
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