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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2020-01-23
15:15
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [依頼講演]原子状水素を用いた表面処理技術の半導体分野への応用
部家 彰兵庫県立大
水素ガスを加熱金属線で分解し生成した原子状水素を用いた表面処理技術(原子状水素アニール(AHA))の半導体分野への応用に... [more] IDY2020-13
pp.67-72
IEICE-SDM, IEICE-EID
(共催)
IDY
(連催) [詳細]
2019-12-24
14:05
奈良 奈良先端大(物質領域 大講義室) Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
服部一輝谷野健太松田時宜木村 睦龍谷大)・川原村敏幸劉 麗高知工科大
絶縁体層としてAl2O3膜をミストCVD法 (mist CVD) により作製し,Al2O3膜の有無によるGa-Sn-O薄... [more] IDY2019-70
pp.9-12
IDY, SID-JC
(共催)
IEICE-EID
(連催) [詳細]
2014-07-29
14:30
東京 機械振興会館 [依頼講演]塗布型有機トランジスタ駆動によるフレキシブル有機ELディスプレイの開発
水上 誠奥 慎也時任静士山形大
フレキシブル有機ELディスプレイはフレキシブルの特徴を忠実に実現できるものとして期待されている。本研究では塗布型有機トラ... [more] IDY2014-38
pp.13-16
IDY, IEICE-EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-25
10:02
静岡 静岡大学 酸化物半導体TFTのシミュレーションモデルの開発
辻 博史中田 充佐藤弘人中嶋宜樹藤崎好英武井達哉山本敏裕藤掛英夫NHK
酸化物半導体a-InGaZnOを用いた薄膜トランジスタ(a-IGZO TFT)に関して,電流電圧特性のシミュレーションモ... [more] IDY2013-7
pp.69-72
IDY, IEICE-EID
(連催)
2010-11-26
15:30
東京 機械振興会館 IMID報告会 ~ TFT関係 ~
古田 守高知工科大
韓国で開催された国際会議IMID/IDMC/ASIA DISPLAY 2010に関して、TFTに関連した報告内容を紹介す... [more] IDY2010-82
pp.17-19
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