Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970
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IST2016-42
[招待講演]Accelerating the Sensing World through Imaging Evolution
○Satoshi Yoshihara・Tetsuo Nomoto・Yusuke Oike・Hayato Wakabayashi(Sony Semiconductor Solutions)
pp. 1 - 5
IST2016-43
適応ゲイン型カラムADCと積層構造を用いた830万画素480fpsグローバルシャッタCMOSイメージセンサ
○加藤祐理・大池祐輔・秋山健太郎・ルォン フォン・新妻 渉・加藤昭彦・佐藤 守・中村 渉・城下寛司・坂野頼人・北野良昭・中村卓矢・遠山隆之・岩元勇人・江崎孝之(ソニー)
pp. 7 - 10
IST2016-44
画素毎の接続を用いた画素内に横型オーバーフロー蓄積容量およびAD変換器を有する露光時間途切れのないグローバルシャッタ積層型CMOSイメージセンサ
○黒田理人・須郷秀武・若嶋駿一・須川成利(東北大)
pp. 11 - 14
IST2016-45
準フォトンカウンティングレベルCMOSイメージセンサを用いたマルチアパーチャカメラの最尤推定法によるRTSおよびフォトンショットノイズの低減
○石田陽樹・香川景一郎・徐 珉雄(静岡大)・小室 孝(埼玉大)・張 博・高澤大志・安富啓太・川人祥二(静岡大)
pp. 15 - 18
IST2016-46
次世代3Dウエハ接合技術のための高精度アライメントプロセス
○前田栄裕・三ッ石 創・岡田政志・菅谷 功(ニコン)
pp. 19 - 22
IST2016-47
CMOSイメージセンサーに対応した画素領域のコンタクト直下に形成したカーボン複合体欠陥での超近接ゲッタリング技術によるホワイトスポットの低減
○山口 直・山下朋弘(ルネサス)・神野 健・後藤洋太郎・黒井 隆(RSMC)・松浦正純(ルネサス)
pp. 23 - 26
注: 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり,推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります.