Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970
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IDY2019-69
ミストCVD法によるGa-Sn-O薄膜を用いたメモリスタ開発
○小林雅樹・杉崎澄生・木村 睦（龍谷大）
pp. 5 - 8
IDY2019-70
Al2O3絶縁膜上に作製したGa-Sn-O TFT
○服部一輝・谷野健太・松田時宜・木村 睦（龍谷大）・川原村敏幸・劉 麗（高知工科大）
pp. 9 - 12
IDY2019-71
薄膜デバイスを用いた人工網膜の生体外実験
○豊田航平・冨岡圭佑・三澤慶悟・内藤直矢・木村 睦（龍谷大）
pp. 17 - 20
IDY2019-72
:ニューラルネットワークのための多層クロスポイント型シナプス素子
○津野拓海・近藤厚志・新村純平・田中 遼・山川大樹・柴山友輝・岩城江津子・木村 睦（龍谷大）
pp. 21 - 24
IDY2019-73
2段階堆積プロセスを用いた(Bi,La)4Ti3O12薄膜の結晶成長
○吉田 誉・石崎勇真・宮部雄太・木村 睦（龍谷大）
pp. 25 - 28
IDY2019-74
Ga-Sn-O薄膜を用いた抵抗変化型メモリのメモリスタ特性の電極依存性
○橋本快人・倉崎彩太・田中 遼・杉崎澄生・角田 涼・木村 睦（龍谷大）
pp. 29 - 32
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．