Print edition: ISSN 1342-6893 Online edition: ISSN 2424-1970
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IST2021-8
A 64M CMOS Image Sensor using 0.7um pixel with high FWC and switchable conversion gain
Y. Jay Jung・Vincent C. Venezia・○Sangjoo Lee・Chun Yung Ai・Yibo Zhu・King W. Yeung・Geunsook Park・Woonil Choi・Zhiqiang Lin・Wu-Zang Yang・Alan Chih-Wei Hsiung・Lindsay Grant（OmniVision Technologies, Inc.）
pp. 1 - 4
IST2021-9
プラズマプロセスにより形成される3次元欠陥分布が暗電流特性に及ぼす影響評価
○佐藤好弘・山田隆善・西村佳壽子・山崎雅之・村上雅史（パナソニック）・占部継一郎・江利口浩二（京大）
pp. 5 - 8
IST2021-10
［招待講演］モバイルセンサ画素微細化の歴史
○宮下直幸（サムスン）
pp. 9 - 12
IST2021-11
高密度容量を用いたアナログ相関多重サンプリングによるCMOSイメージセンサのノイズ低減
○鴨志田俊太・鈴木 学・黒田理人・須川成利（東北大）
pp. 13 - 16
IST2021-12
45μm厚裏面照射型フォトダイオード・2段LOFICを有する広ダイナミックレンジ軟X線検出グローバルシャッタCMOSイメージセンサ
○四家寛也・黒田理人・小林諒太・村田真麻・藤原康行・鈴木 学・原田将真（東北大）・柴口 拓・栗山尚也（ラピスセミコンダクタ）・初井宇記（理研）・宮脇 淳（東大/量研機構）・原田哲男（兵庫県立大）・山崎裕一（物質・材料研究機構）・渡邊健夫（兵庫県立大）・原田慈久（東大）・須川成利（東北大）
pp. 17 - 20
IST2021-13
画像認識に用いるイメージセンサの高SN比画素に関する研究
○佐々木桃矢・白畑正芳・大倉俊介（立命館大）
pp. 21 - 24
IST2021-14
A Back Illuminated 10μm SPAD Pixel Array Comprising Full Trench Isolation and Cu-Cu Bonding with Over 14% PDE at 940nm
○Kyosuke Ito・Yusuke Otake・Yoshiaki Kitano・Akira Matsumoto・Junpei Yamamoto・Takayuki Ogasahara・Hiroki Hiyama・Ryusei Naito・Kohei Takeuchi・Takanori Tada・Kosaku Takabayashi・Hajime Nakayama・Keiji Tatani・Tomoyuki Hirano・Toshifumi Wakano（SONY）
pp. 25 - 28
IST2021-15
189×600 SPAD画素を用いた車載LiDAR向け積層型 直接Time-of -Flight方式測距センサー
熊谷央一・大町純一・松村正雄・八木慎一郎・田湯賢一（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・天川慶太郎（ソニーLSIデザイン）・松川朋広・小澤 治・廣野大輔・○篠塚康大・本間龍太郎（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・馬原久美子（ソニーLSIデザイン）・大山俊郎・森田陽介・島田翔平（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・上野貴久（Sony Depthsensing Solutions）・松本 晃・大竹悠介・若野寿史・伊澤 崇（ソニーセミコンダクタソリューションズ）
pp. 29 - 32
IST2021-16
低消費電力および高解像度のGate変調方式間接型Time of Flight sensor
○蛯子芳樹・田谷圭司・前田俊二・森山祐介・萩原寛浩・村瀬拓郎・荒井英樹・磯谷雄二・日田聖大・寺田 毅・亀田俊介・小磯健介（ソニーセミコンダクターソリューションカンパニー）
pp. 33 - 37
IST2021-17
A 250fps 124dB Dynamic-Range SPAD Image Sensor Stacked with Pixel-Parallel Photon Counter Employing Subframe Extrapolating Architecture for Motion Artifact Suppression
○Kazuki Hizu・Jun Ogi・Takafumi Takatsuka・Yutaka Inaoka・Hongbo Zhu・Yasuhisa Tochigi・Yoshiaki Tashiro・Fumiaki Sano（Sony Semiconductor Solutions）・Yusuke Murakawa・Makoto Nakamura（Sony Semiconductor Manufacturing）・Yusuke Oike（Sony Semiconductor Solutions）
pp. 39 - 42
IST2021-18
［招待講演］イメージセンサーの積層技術とアーキテクチャーの進化
○大池祐輔（ソニー）
p. 43
IST2021-19
A High speed Back-Illuminated Stacked CMOS Image Sensor with Column-Parallel kT/C-Cancelling S&H and ΔΣADC
Chihiro Okada・○Koushi Uemura・Luong Hung・Kouji Matsuura・Takash Moue・Kazutoshi Kodama・Masafumi Okano・Takafumi Morikawa・Kazuyoshi Yamashita（SSS）・Osamu Oka（SCK）・Itai Shvartz・Golan Zeituni・Ariel Ben Shem・Noam Eshel（Sony Electronics Inc）・Yoshiaki Inada（SSS）
pp. 45 - 48
IST2021-20
A 4.6um, 512 x 512, Ultra-Low Power Stacked Digital Pixel Sensor with Triple Quantization and 127dB Dynamic Range
○Toshiyuki Isozaki・Kazuya Mori・Rimon Ikeno・Masayuki Uno・Ken Miyauchi・Isao Takayanagi・Junichi Nakamura（BRILLNICS）・Lyle Bainbridge・Andrew Berkovich・Song Chen・Wei Gao・Tsung-Hsun Tsai・Chiao Liu（Facebook）
pp. 49 - 52
IST2021-21
A 1-inch 17Mpixel 1000fps Block-Controlled Coded-Exposure Back-Illuminated Stacked CMOS Image Sensor for Computational Imaging and Adaptive Dynamic Range Control
○Yojiro Tezuka・Tomoki Hirata・Hironobu Murata・Hideaki Matsuda・Shiro Tsunai（Nikon）
pp. 53 - 56
注： 本技術報告は査読を経ていない技術報告であり，推敲を加えられていずれかの場に発表されることがあります．