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情報センシング研究会(IST)
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委員長
徳田 崇 (科学大)
担当幹事
黒田 理人 (東北大), 佐藤 守 (ソニーセミコンダクタソリューションズ), 白髭 大貴 (キヤノン), 谷 卓治 (オリンパスメディカルシステムズ)
日時
2026年 3月27日(金) 09:00 - 17:00
議題
固体撮像技術および一般
会場名
機械振興会館 地下3階 研修2号室 (+オンライン)
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.
参加費(IST研究会)についてはこちらをご覧ください
.
聴講参加申込
本研究会(ハイブリッド開催)へ参加ご希望の方は,上記「参加費について」より事前にお申込み(オンラインで
聴講参加費
または
年間登録費
をお支払い)ください.(既に年間登録されている方は,開催毎のお申込みは不要です)
※当日会場での現金受付はございません.現地聴講参加予定の方も,必ず事前のお申込みをお願いいたします.
◎
『予稿ダウンロード不要の学生』
の方は,聴講参加費支払い手続きは不要ですが,研究会担当(
gyoji@ite.or.jp
)まで,(1)氏名,(2)所属大学,(3)参加希望研究会名/開催日,(4)「現地参加」 or 「オンライン参加」をお知らせください.
申込締切:3/24(火)
参加用URL送付:3/25(水)予定
3月27日(金) 午前
座長: 黒田 理人、佐藤 守、白髭 大貴、谷 卓治
09:00 - 17:00
-
オープニング
(1)
09:00-09:25
読出速度6Tpixel/s記録枚数256コマ寄生光感度−170 dBを実現したグローバルシャッターバーストCMOSイメージセンサ
○
北邨益飛
・
川口泰範
(
島津製作所
)・
栗山尚也
(
ラピスセミコンダクタ
)・
前田智晃
・
今村俊文
(
エイアールテック
)・
間脇武蔵
・
須川成利
・
黒田理人
(
東北大
)
(2)
09:25-09:40
無段階加速度ランプ生成器の分散配置アーキテクチャに基づくシングルスロープADC CMOSイメージセンサ
○
迫田隼人
・
大高俊德
・
佐藤俊一
・
浜本隆之
(
東京理科大
)
(3)
09:40-09:55
無線給電CMOSイメージセンサに向けた干渉ノイズの評価
○
大山隼輝
・
岡田虹輝
(
立命館大
)・
宮内 健
(
ブリルニクスジャパン/立命館大
)・
大和田英樹
・
郭 家祺
・
高柳 功
(
ブリルニクスジャパン
)・
田中亜実
・
西村文哉
・
大倉俊介
(
立命館大
)
(4)
09:55-10:20
風車パターンエッジ特徴抽出とオンチップDNNを備える0.8μm32Mpixel常時オンCMOSイメージセンサ
○
佐藤 守
・
曙 佐智雄
・
安岡一嘉
・
加藤恵里子
・
鶴田将大
・
太田健介
・
原口和樹
・
渡邉正浩
・
藤井元暉
・
山中幸一郎
・
安田和徳
・
南 智史
・
半澤克彦
・
松田航平
・
加藤昭彦
・
植野洋介
(
SSS
)
10:20-10:30
休憩 ( 10分 )
(5)
10:30-10:55
A Novel Double Cathode SPAD for Drastic Reduction of Charge per Event and Dark Noise
○
Mahito Shinohara
・
Hiroshi Sekine
・
Daiki Shirahige
・
Hajime Ikeda
・
Takeru Sakamoto
・
Abdelghafar Aymantarek
・
Kizashi Mikami
・
Kazuma Inoue
・
Alice Ehara
・
Yoshiki Kato
・
Kazuhiro Morimoto
・
Junji Iwata
・
Yasushi Matsuno
・
Katsuhito Sakurai
・
Takeshi Ichikawa
(
Canon
)
(6)
10:55-11:20
不純物設計の最適化により波長940nmにおいてPDE42.5%を実現した裏面照射型10µmSPAD測距センサ
島田翔平
・
大竹悠介
・○
鈴木淳貴
・
馬郡あおい
・
倉田憲治
・
松井智徳
・
土田遼哉
(
ソニーセミコンダクタソリューションズ
)・
岡崎 睦
(
ソニー
)・
横地界斗
・
岩瀬寿仁
・
高瀬博章
・
古閑史彦
・
小木 純
(
ソニーセミコンダクタソリューションズ
)・
前田英訓
・
森山公治
・
本田英之
(
ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング
)・
藤澤 薫
・
三浦隆裕
・
纐纈洋章
・
若野寿史
(
ソニーセミコンダクタソリューションズ
)
(7)
11:20-11:45
室温環境にて波長1300 nmにてPDE 33.8%を実現した10 µm Ge-on-Si SPAD距離センサ
吉田 悟
・
島田翔平
・○
松崎厚志
・
シルヴィア ルー メイ リン
・
大竹悠介
・
長山哲治
・
落合聡一
・
丹下貴志
・
佐々木 顯
・
安井淳人
・
横地界斗
・
高瀬博章
・
佐々木勝昭
・
宮下 勝
・
大野 哲
(
ソニーセミコンダクタソリューションズ
)・
高橋一摩
・
田中寛隆
・
佐々木 隆
・
三苫 想
(
ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング
)・
若野寿史
(
ソニーセミコンダクタソリューションズ
)
11:45-12:55
昼休憩 ( 70分 )
(8)
12:55-13:10
Practical Process of Dislocation-free Ge-on-Si Image Sensors
○
T. Goji Etoh
(
Kindai Univ.
)・
Taeko Ando
(
Ritsumeikan Univ.
)・
Kentarou Sawano
(
Tokyo City Univ.
)・
Kohsei Takehara
(
Kindai Univ.
)
(9)
13:10-13:25
イメージセンサの評価と設計のためのスペクトル応答シミュレーション
○
中溝正彦
・
唐 彬
・
山本邦浩
(
Honor
)
(10)
13:25-13:50
SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ
高柳良平
・
加茂 崇
・○
山知亮介
・
櫻井真由
・
大石秀俊
・
入口拓也
・
高橋 洋
・
榎本泰啓
・
影山友基
・
田中裕介
・
菊池善明
・
山元純平
・
熊野秀臣
・
吉田慎一
・
北野良昭
・
太田和伸
・
平野智之
(
ソニーセミコンダクタソリューションズ
)
(11)
13:50-14:15
A Monolithic Dual-Layer Pixel Design with BEOL IGZO Transistors featuring High Dual Conversion Gain Ratio and Scaled Pixel Size for Future Image Sensors
○
Kishou Kaneko
(
Huawei Japan
)・
S. Chen
・
H. Wang
・
L. Kang
・
Y. Li
・
W. Cui
・
S. Lu
・
W. Zhao
・
Y. Wang
・
Y. Yin
・
Y. Shao
・
Z. Lin
・
X. Cui
・
Y. Wu
(
Huawei
)
14:15-14:25
休憩 ( 10分 )
(12)
14:25-14:40
小面積HDR型CMOSイメージセンサに向けた4T-DCG Large-Small Multiple-PD型画素の検討
○
増井翔伍
・
竹本周平
・
大谷 愛
(
立命館大
)・
宮内 健
(
立命館大/ブリルニクスジャパン
)・
大和田英樹
・
郭 家祺
・
高柳 功
(
ブリルニクスジャパン
)・
大倉俊介
(
立命館大
)
(13)
14:40-15:05
光量適応信号選択機能を有する3次元積層型2段LOFIC CMOSイメージセンサ
○
吉田将也
・
瀧澤康平
・
間脇武蔵
・
宮内 健
・
黒田理人
(
東北大
)
(14)
15:05-15:30
A 2.1 μm Single-Exposure 129 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Triple Readout Technique
○
Ryosuke Nakamura
・
Takaya Yamanaka
・
Shunsuke Kasashima
・
Chie Tokumitsu
・
Masatoshi Kitajima
・
Rikuya Matano
・
Takeshi Ishizaki
・
Hiroaki Iga
・
Makoto Aoki
(
SSS
)・
Shohei Nabeyoshi
・
Masashi Takami
・
Shuto Kuwahara
(
SCK
)・
Yorito Sakano
・
Yusuke Oike
(
SSS
)
(15)
15:30-15:45
電荷領域時間圧縮CMOSイメージセンサのLiDAR/FLIm/DOT応用における信号復元精度の検討
○
香川景一郎
・
林 大輔
・
髙倉 嵐
・
梅木佑斗
・
井柳幹太
・
安富啓太
・
川人祥二
(
静岡大
)・
吉田道隆
(
岡山大
)・
長原 一
(
阪大
)
15:45-15:55
休憩 ( 10分 )
(16)
15:55-16:10
高照度耐性に向けた電荷ストレージ構造を有した4-tap iToFセンサへの線形対数応答の応用
○
アルカデ ガブリエル
・
奥山智弘
(
静岡大
)・
マース カメル
(
静岡理工科大
)・
リュウ ドゥシン
(
スイクト
)・
香川景一郎
・
安富啓太
・
川人祥二
(
静岡大
)
(17)
16:10-16:35
A 25M points/s Back-Illuminated Stacked SPAD Direct Time-of-Flight Depth Sensor with Equivalent Time Sampling and Pixel-Level Threshold Control for Automotive LiDAR
○
半澤克彦
・
由井達哉
・
細谷昌宏
・
劉 玉清
・
安福 正
・
田中義則
・
田代睦聡
・
トゥメウ アルバート
(
SSS
)・
山根正孝
・
柴田真利
・
坂田敏樹
(
SCK
)・
赤塚和久
・
松下雄大
(
SSS
)・
山田浩輝
・
森 耕司
(
SCK
)・
豊島隆寛
・
坂野頼人
・
熊谷央一
・
津野地賢一
・
高橋昌幸
(
SSS
)
(18)
16:35-17:00
2/3-inch 2.1Megapixel SPAD Image Sensor with 156dB Single-Shot Dynamic Range and LED Flicker Mitigation Based on Weighted Photon Counting Technique
Yasuharu Ota
・
Hiroshi Sekine
・
Kazuhiro Morimoto
・○
Wataru Endo
・
Tomoya Sasago
・
Aiman Tarek Abdelghafar
・
Satoru Mikajiri
・
Naoki Isoda
・
Daisuke Kobayashi
・
Mahito Shinohara
・
Kizashi Mikami
・
Kazuma Inoue
・
Hideaki Yasui
・
Kenzo Tojima
・
Masahi Niwa
・
Satoshi Omodani
・
Kazuma Chida
・
Kosei Uehira
・
Tetsuya Itano
・
Fumihiro Inui
・
Junji Iwata
・
Masanobu Ohmura
・
Yasushi Matsuno
・
Katsuhito Sakurai
・
Takeshi Ichikawa
(
Canon
)
-
クロージング
講演時間
口頭発表(一般)
発表 12 分 + 質疑応答 3 分
口頭発表(IEDM, VLSI)
発表 20 分 + 質疑応答 5 分
問合先と今後の予定
IST
情報センシング研究会(IST)
[今後の予定はこちら]
問合先
Last modified: 2026-02-03 17:03:59
ご注意: 迷惑メール対策のためメールアドレスの一部の文字を置換しております.ご了承ください.
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