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情報センシング研究会(IST) [schedule] [select]
委員長 徳田 崇 (科学大)
担当幹事 黒田 理人 (東北大), 佐藤 守 (ソニーセミコンダクタソリューションズ), 白髭 大貴 (キヤノン), 谷 卓治 (オリンパスメディカルシステムズ)

日時 2026年 3月27日(金) 09:00 - 17:00
議題 固体撮像技術および一般 
会場名 機械振興会館 地下3階 研修2号室 (+オンライン) 
参加費に
ついて
この開催は「技報完全電子化」研究会です.参加費(IST研究会)についてはこちらをご覧ください
聴講参加申込 本研究会(ハイブリッド開催)へ参加ご希望の方は,上記「参加費について」より事前にお申込み(オンラインで聴講参加費または年間登録費をお支払い)ください.(既に年間登録されている方は,開催毎のお申込みは不要です)
※当日会場での現金受付はございません.現地聴講参加予定の方も,必ず事前のお申込みをお願いいたします.

『予稿ダウンロード不要の学生』の方は,聴講参加費支払い手続きは不要ですが,研究会担当(gyoji@ite.or.jp)まで,(1)氏名,(2)所属大学,(3)参加希望研究会名/開催日,(4)「現地参加」 or 「オンライン参加」をお知らせください.

申込締切:3/24(火)
参加用URL送付:3/25(水)予定

3月27日(金) 午前 
座長: 黒田 理人、佐藤 守、白髭 大貴、谷 卓治
09:00 - 17:00
  - オープニング
(1) 09:00-09:25 読出速度6Tpixel/s記録枚数256コマ寄生光感度−170 dBを実現したグローバルシャッターバーストCMOSイメージセンサ 北邨益飛川口泰範島津製作所)・栗山尚也ラピスセミコンダクタ)・前田智晃今村俊文エイアールテック)・間脇武蔵須川成利黒田理人東北大
(2) 09:25-09:40 無段階加速度ランプ生成器の分散配置アーキテクチャに基づくシングルスロープADC CMOSイメージセンサ 迫田隼人大高俊德佐藤俊一浜本隆之東京理科大
(3) 09:40-09:55 無線給電CMOSイメージセンサに向けた干渉ノイズの評価 大山隼輝岡田虹輝立命館大)・宮内 健ブリルニクスジャパン/立命館大)・大和田英樹郭 家祺高柳 功ブリルニクスジャパン)・田中亜実西村文哉大倉俊介立命館大
(4) 09:55-10:20 風車パターンエッジ特徴抽出とオンチップDNNを備える0.8μm32Mpixel常時オンCMOSイメージセンサ 佐藤 守曙 佐智雄安岡一嘉加藤恵里子鶴田将大太田健介原口和樹渡邉正浩藤井元暉山中幸一郎安田和徳南 智史半澤克彦松田航平加藤昭彦植野洋介SSS
  10:20-10:30 休憩 ( 10分 )
(5) 10:30-10:55 A Novel Double Cathode SPAD for Drastic Reduction of Charge per Event and Dark Noise Mahito ShinoharaHiroshi SekineDaiki ShirahigeHajime IkedaTakeru SakamotoAbdelghafar AymantarekKizashi MikamiKazuma InoueAlice EharaYoshiki KatoKazuhiro MorimotoJunji IwataYasushi MatsunoKatsuhito SakuraiTakeshi IchikawaCanon
(6) 10:55-11:20 不純物設計の最適化により波長940nmにおいてPDE42.5%を実現した裏面照射型10µmSPAD測距センサ 島田翔平大竹悠介・○鈴木淳貴馬郡あおい倉田憲治松井智徳土田遼哉ソニーセミコンダクタソリューションズ)・岡崎 睦ソニー)・横地界斗岩瀬寿仁高瀬博章古閑史彦小木 純ソニーセミコンダクタソリューションズ)・前田英訓森山公治本田英之ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング)・藤澤 薫三浦隆裕纐纈洋章若野寿史ソニーセミコンダクタソリューションズ
(7) 11:20-11:45 室温環境にて波長1300 nmにてPDE 33.8%を実現した10 µm Ge-on-Si SPAD距離センサ 吉田 悟島田翔平・○松崎厚志シルヴィア ルー メイ リン大竹悠介長山哲治落合聡一丹下貴志佐々木 顯安井淳人横地界斗高瀬博章佐々木勝昭宮下 勝大野 哲ソニーセミコンダクタソリューションズ)・高橋一摩田中寛隆佐々木 隆三苫 想ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング)・若野寿史ソニーセミコンダクタソリューションズ
  11:45-12:55 昼休憩 ( 70分 )
(8) 12:55-13:10 Practical Process of Dislocation-free Ge-on-Si Image Sensors T. Goji EtohKindai Univ.)・Taeko AndoRitsumeikan Univ.)・Kentarou SawanoTokyo City Univ.)・Kohsei TakeharaKindai Univ.
(9) 13:10-13:25 イメージセンサの評価と設計のためのスペクトル応答シミュレーション 中溝正彦唐 彬山本邦浩Honor
(10) 13:25-13:50 SOI FinFETを用いた高変換効率と低ノイズを実現した2層トランジスタ画素積層型CMOSイメージセンサ 高柳良平加茂 崇・○山知亮介櫻井真由大石秀俊入口拓也高橋 洋榎本泰啓影山友基田中裕介菊池善明山元純平熊野秀臣吉田慎一北野良昭太田和伸平野智之ソニーセミコンダクタソリューションズ
(11) 13:50-14:15 A Monolithic Dual-Layer Pixel Design with BEOL IGZO Transistors featuring High Dual Conversion Gain Ratio and Scaled Pixel Size for Future Image Sensors Kishou KanekoHuawei Japan)・S. ChenH. WangL. KangY. LiW. CuiS. LuW. ZhaoY. WangY. YinY. ShaoZ. LinX. CuiY. WuHuawei
  14:15-14:25 休憩 ( 10分 )
(12) 14:25-14:40 小面積HDR型CMOSイメージセンサに向けた4T-DCG Large-Small Multiple-PD型画素の検討 増井翔伍竹本周平大谷 愛立命館大)・宮内 健立命館大/ブリルニクスジャパン)・大和田英樹郭 家祺高柳 功ブリルニクスジャパン)・大倉俊介立命館大
(13) 14:40-15:05 光量適応信号選択機能を有する3次元積層型2段LOFIC CMOSイメージセンサ 吉田将也瀧澤康平間脇武蔵宮内 健黒田理人東北大
(14) 15:05-15:30 A 2.1 μm Single-Exposure 129 dB Dynamic Range CMOS Image Sensor with Triple Readout Technique Ryosuke NakamuraTakaya YamanakaShunsuke KasashimaChie TokumitsuMasatoshi KitajimaRikuya MatanoTakeshi IshizakiHiroaki IgaMakoto AokiSSS)・Shohei NabeyoshiMasashi TakamiShuto KuwaharaSCK)・Yorito SakanoYusuke OikeSSS
(15) 15:30-15:45 電荷領域時間圧縮CMOSイメージセンサのLiDAR/FLIm/DOT応用における信号復元精度の検討 香川景一郎林 大輔髙倉 嵐梅木佑斗井柳幹太安富啓太川人祥二静岡大)・吉田道隆岡山大)・長原 一阪大
  15:45-15:55 休憩 ( 10分 )
(16) 15:55-16:10 高照度耐性に向けた電荷ストレージ構造を有した4-tap iToFセンサへの線形対数応答の応用 アルカデ ガブリエル奥山智弘静岡大)・マース カメル静岡理工科大)・リュウ ドゥシンスイクト)・香川景一郎安富啓太川人祥二静岡大
(17) 16:10-16:35 A 25M points/s Back-Illuminated Stacked SPAD Direct Time-of-Flight Depth Sensor with Equivalent Time Sampling and Pixel-Level Threshold Control for Automotive LiDAR 半澤克彦由井達哉細谷昌宏劉 玉清安福 正田中義則田代睦聡トゥメウ アルバートSSS)・山根正孝柴田真利坂田敏樹SCK)・赤塚和久松下雄大SSS)・山田浩輝森 耕司SCK)・豊島隆寛坂野頼人熊谷央一津野地賢一高橋昌幸SSS
(18) 16:35-17:00 2/3-inch 2.1Megapixel SPAD Image Sensor with 156dB Single-Shot Dynamic Range and LED Flicker Mitigation Based on Weighted Photon Counting Technique Yasuharu OtaHiroshi SekineKazuhiro Morimoto・○Wataru EndoTomoya SasagoAiman Tarek AbdelghafarSatoru MikajiriNaoki IsodaDaisuke KobayashiMahito ShinoharaKizashi MikamiKazuma InoueHideaki YasuiKenzo TojimaMasahi NiwaSatoshi OmodaniKazuma ChidaKosei UehiraTetsuya ItanoFumihiro InuiJunji IwataMasanobu OhmuraYasushi MatsunoKatsuhito SakuraiTakeshi IchikawaCanon
  - クロージング

講演時間
口頭発表(一般)発表 12 分 + 質疑応答 3 分
口頭発表(IEDM, VLSI)発表 20 分 + 質疑応答 5 分

問合先と今後の予定
IST 情報センシング研究会(IST)   [今後の予定はこちら]
問合先  


Last modified: 2026-02-03 17:03:59


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